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J-GLOBAL ID：201102202212826903   整理番号：11A1514628

ナノメートルスケールのリンドープ絶縁体上シリコン電界効果トランジスタに於けるドナーによる光励起電子の捕獲

Trapping of a photoexcited electron by a donor in nanometer-scale phosphorus-doped silicon-on-insulator field-effect transistors

著者 (4件)： UDHIARTO Arief (Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Nakaku, Hamamatsu 432-8011, JPN) ,  MORARU Daniel (Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Nakaku, Hamamatsu 432-8011, JPN) ,  MIZUNO Takeshi (Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Nakaku, Hamamatsu 432-8011, JPN) ,  TABE Michiharu (Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Nakaku, Hamamatsu 432-8011, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 99  号： 11  ページ： 113108  発行年： 2011年09月12日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者達は,ナノメートルスケールのリンドープ絶縁体上シリコン電界効果トランジスタに於ける,単一電子電流と入射光子の相互作用を研究する。光励起電子の捕獲ドナーによる捕獲事象が,電流経路のドナーを通って流れる単一電子のトンネル電流に於ける,ランダムな電信信号として,観測される。捕獲は電流経路ドナーでの,電流変化を含む,ポテンシャル変化を引き起こす。逆の電流変化が捕獲ドナーから電流経路ドナーへの電子脱出により引き起こされる。このことは,沢山のドナーがあっても,少ないドナーだけ(この研究では2つのドナー)が単一電子輸送と光励起電子捕獲の間の相互作用において働いていることを示す。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *ドーピング ,  リン ,  ドナー ,  *光ポンピング ,  *電子捕獲 ,  電流 ,  電子 ,  単一電子
準シソーラス用語： トンネル電流

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： ナノメートルスケール ,  絶縁体 ,  シリコン ,  電界効果トランジスタ ,  ドナー ,  光励起 ,  電子 ,  捕獲