YUAN Yu について
Univ. California-San Diego, CA, USA について
WANG Lingquan について
Univ. California-San Diego, CA, USA について
Univ. California-San Diego, CA, USA について
SHIN Byungha について
Stanford Univ., CA, USA について
AHN Jaesoo について
Stanford Univ., CA, USA について
MCINTYRE Paul C. について
Stanford Univ., CA, USA について
ASBECK Peter M. について
Univ. California-San Diego, CA, USA について
RODWELL Mark J. W. について
Univ. California, CA, USA について
TAUR Yuan について
Univ. California-San Diego, CA, USA について
IEEE Electron Device Letters について
ヒ化ガリウムインジウム について
酸化アルミニウム について
MOSFET について
キャリア捕獲 について
解析モデル について
数学モデル について
微分方程式 について
周波数依存性 について
容量電圧特性 について
コンダクタンス について
InGaAs について
電荷トラップ について
分散モデル について
トランジスタ について
半導体と絶縁体の電気伝導一般 について
金属-絶縁体-半導体構造 について
Al2O3 について
InGaAs について
MOSデバイス について
ボーダー について
トラップ について
分散モデル について