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J-GLOBAL ID：201102202740284284   整理番号：11A0825266

Al₂O₃-InGaAs MOSデバイスにおけるボーダートラップにおける分散モデル

A Distributed Model for Border Traps in Al₂O₃-InGaAs MOS Devices

著者 (9件)： YUAN Yu (Univ. California-San Diego, CA, USA) ,  WANG Lingquan (Univ. California-San Diego, CA, USA) ,  YU Bo (Univ. California-San Diego, CA, USA) ,  SHIN Byungha (Stanford Univ., CA, USA) ,  AHN Jaesoo (Stanford Univ., CA, USA) ,  MCINTYRE Paul C. (Stanford Univ., CA, USA) ,  ASBECK Peter M. (Univ. California-San Diego, CA, USA) ,  RODWELL Mark J. W. (Univ. California, CA, USA) ,  TAUR Yuan (Univ. California-San Diego, CA, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 32  号： 4  ページ： 485-487  発行年： 2011年04月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ボーダートラップやバルクトラップと呼ばれているゲート絶縁体内部のトラップ状態のモデリングについては,従来,RC集中回路でモデル化されたが,分布的な面を反映できない。本稿では,トンネル機構に基づいたボーダートラップに対する分布回路モデルを開発した。微分方程式を導き,数値的に解いて,Pt/Al₂O₃/n-In_0.53Ga_0.47As MOSデータとよく一致する周波数依存性容量およびコンダクタンスを生じるモデルを導いた。開発したモデルは上記MOS素子において観察される容量電圧特性およびコンダクタンス電圧特性をよく説明できる。従来モデルとは違って,ボーダートラップは,容量とコンダクタンスのデータにあてはめることで推論された体積密度によって特徴づけられる。

シソーラス用語： *ヒ化ガリウムインジウム ,  酸化アルミニウム ,  *MOSFET ,  *キャリア捕獲 ,  解析モデル ,  数学モデル ,  微分方程式 ,  周波数依存性 ,  容量電圧特性 ,  コンダクタンス
準シソーラス用語： *InGaAs ,  *電荷トラップ ,  分散モデル

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (6件)： Al2O3 ,  InGaAs ,  MOSデバイス ,  ボーダー ,  トラップ ,  分散モデル