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J-GLOBAL ID：201102203204273055   整理番号：11A1789703

高速ディスクリートIGBTの「High Speed Vシリーズ」

“High Speed V-Series” of Fast Discrete IGBTs

著者 (2件)： WATASHIMA Taketo (Fuji Electric Co., Ltd.) ,  ARAKI Ryu (Fuji Electric Co., Ltd.)
資料名： Fuji Electric Review  (Fuji Electric Review)
巻： 57  号： 3  ページ： 91-95  発行年： 2011年08月20日 
JST資料番号： S0167A  ISSN： 0429-8284  CODEN： FUERB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 定格が600V/35~75Aおよび1,200V/15~40AのディスクリートIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)「High Speed Vシリーズ」を開発した。ミニUPS(無停電電源)や太陽光発電用パワーコンディショナにおいて,電力変換効率の向上と小型化のために低損失スイッチング素子へのニーズが高まっている。今回,低ON状態電圧特性と高速スイッチング特性とのトレードオフを改善し,ミニUPSやパワーコンディショナの性能と使用簡易性を向上させるための高速ディスクリートIGBTを開発した。低ON状態電圧と高速スイッチング特性を両立させたIGBTチップと高速FWD(フリーホイーリング・ダイオード)チップを小型ディスクリートパッケージに実装した。UPSフルブリッジ回路への適用シミュレーションにおいて,従来シリーズと比較して600V製品で約15%,1,200V製品で約30%の低損失化を達成した。

シソーラス用語： *IGBT ,  無停電電源 ,  ダイオード ,  スナバ回路 ,  太陽光発電 ,  環境保全 ,  地球温暖化 ,  電力変換器 ,  *インバータ
準シソーラス用語： CO2削減 ,  UPS【電源装置】 ,  パワーコンディショナ ,  フリーホイーリング・ダイオード ,  太陽光発電システム

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (1件)：

• (1) Onozawa.Y, et a1. Development of the next generation 1,200 V trench-gate FS-IGST featuring lower EMI noise and lower switching loss.19th ISPSDO 2007, p.13-16.

タイトルに関連する用語 (3件)： ディスク ,  リート ,  IGBT