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J-GLOBAL ID：201102203338992783   整理番号：11A1159961

光増強化学酸化法による100GHzデプリーションモードGa₂O₃/GaN単一ナノワイヤMOSFET

100GHz depletion-mode Ga₂O₃/GaN single nanowire MOSFET by photo-enhanced chemical oxidation method

著者 (4件)： YU Jeng-Wei (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  WU Yuh-Renn (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  HUANG Jian-Jang (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  PENG Lung-Han (National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2010  ページ： 680-683  発行年： 2010年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 100GHz領域におけるGaNナノワイヤ(NW)トランジスタの高速動作を実証した。[11-20]窒化ガリウム(GaN)NWの横及び直接成長,及び酸化ガリウム(Ga₂O₃)高k不動態化層への外側シェルGaNを変換する光増強ウェット酸化を組み合わせて,既存のGaN-NWトランジスタ技術より優れたDC及びRF性能をもつGaN NW-MOSFETの新しい設計を構築した。結果として,0.1μmのゲート長において,~95GHzの遮断周波数においてGaN NWチャネルの高速変調を達成した。

シソーラス用語： 空乏層 ,  *光増感作用 ,  酸化 ,  窒化ガリウム ,  *ナノワイヤ ,  *MOSFET ,  *酸化ガリウム ,  遮断周波数 ,  不動態化 ,  湿式酸化 ,  長さ ,  ゲート【半導体】 ,  容量電圧特性 ,  漏れ電流 ,  電流電圧特性 ,  利得 ,  キャリア密度 ,  分布関数
準シソーラス用語： 化学的酸化 ,  ゲート長

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 増強 ,  化学 ,  酸化 ,  Ga2O3 ,  GaN ,  ナノワイヤ ,  MOSFET