文献

J-GLOBAL ID：201102204511388206   整理番号：11A0184919

低コスト3D TSV IC技術における設計課題と配慮点

Design Issues and Considerations for Low-Cost 3-D TSV IC Technology

著者 (39件)： VAN DER PLAS Geert (Interuniversity Microelectronics Res. Center(IMEC), Leuven, BEL) ,  LIMAYE Paresh (Interuniversity Microelectronics Res. Center(IMEC), Leuven, BEL) ,  LOI Igor (Univ. Bologna, Bologna, ITA) ,  MERCHA Abdelkarim (Interuniversity Microelectronics Res. Center(IMEC), Leuven, BEL) ,  OPRINS Herman (Interuniversity Microelectronics Res. Center(IMEC), Leuven, BEL) ,  TORREGIANI Cristina (Qualcomm(QCT), CA, USA) ,  THIJS Steven (Interuniversity Microelectronics Res. Center(IMEC), Leuven, BEL) ,  LINTEN Dimitri (Interuniversity Microelectronics Res. Center(IMEC), Leuven, BEL) ,  STUCCHI Michele (Interuniversity Microelectronics Res. Center(IMEC), Leuven, BEL) ,  KATTI Guruprasad (Interuniversity Microelectronics Res. Center(IMEC), Leuven, BEL) ,  KATTI Guruprasad (Katholiek Universiteit Leuven, Leuven, BEL) ,  VELENIS Dimitrios (Interuniversity Microelectronics Res. Center(IMEC), Leuven, BEL) ,  CHERMAN Vladimir (Interuniversity Microelectronics Res. Center(IMEC), Leuven, BEL) ,  VANDEVELDE Bart (Interuniversity Microelectronics Res. Center(IMEC), Leuven, BEL) ,  SIMONS Veerle (Interuniversity Microelectronics Res. Center(IMEC), Leuven, BEL) ,  DE WOLF Ingrid (Interuniversity Microelectronics Res. Center(IMEC), Leuven, BEL) ,  LABIE Riet (Interuniversity Microelectronics Res. Center(IMEC), Leuven, BEL) ,  PERRY Dan (Qualcomm(QCT), CA, USA) ,  BRONCKERS Stephane (EMC Group of Laborelec, Linkebeek, BEL) ,  MINAS Nikolaos (Interuniversity Microelectronics Res. Center(IMEC), Leuven, BEL) ,  CUPAC Miro (Interuniversity Microelectronics Res. Center(IMEC), Leuven, BEL) ,  RUYTHOOREN Wouter (Photovoltech, Tienen, BEL) ,  VAN OLMEN Jan (Interuniversity Microelectronics Res. Center(IMEC), Leuven, BEL) ,  PHOMMAHAXAY Alain (Interuniversity Microelectronics Res. Center(IMEC), Leuven, BEL) ,  DE POTTER DE TEN BROECK Muriel (Interuniversity Microelectronics Res. Center(IMEC), Leuven, BEL) ,  OPDEBEECK Ann (Interuniversity Microelectronics Res. Center(IMEC), Leuven, BEL) ,  RAKOWSKI Michal (Interuniversity Microelectronics Res. Center(IMEC), Leuven, BEL) ,  DE WACHTER Bart (Interuniversity Microelectronics Res. Center(IMEC), Leuven, BEL) ,  DEHAN Morin (Interuniversity Microelectronics Res. Center(IMEC), Leuven, BEL) ,  NELIS Marc (Interuniversity Microelectronics Res. Center(IMEC), Leuven, BEL) ,  AGARWAL Rahul (Inst. Microelectronics(IME), Singapore) ,  PULLINI Antonio (iNoCs, Lausanne, CHE) ,  ANGIOLINI Federico (iNoCs, Lausanne, CHE) ,  BENINI Luca (Univ. Bologna, Bologna, ITA) ,  DEHAENE Wim (Interuniversity Microelectronics Res. Center(IMEC), Leuven, BEL) ,  DEHAENE Wim (Katholiek Universiteit Leuven, Leuven, BEL) ,  TRAVALY Youssef (Interuniversity Microelectronics Res. Center(IMEC), Leuven, BEL) ,  BEYNE Eric (Interuniversity Microelectronics Res. Center(IMEC), Leuven, BEL) ,  MARCHAL Paul (Interuniversity Microelectronics Res. Center(IMEC), Leuven, BEL)
資料名： IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻： 46  号： 1  ページ： 293-307  発行年： 2011年01月 
JST資料番号： B0761A  ISSN： 0018-9200  CODEN： IJSCBC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低コスト3次元(3D)Cu貫通シリコンビア(TSV)技術の主な設計課題と配慮点について調べた。TSVのバックエンド工程(BEOL)配線信頼性への影響を監視するとともに熱サイクル試験により,3D化は,BEOL配線の信頼性を損なわないことを示し,何の不良も観測しなかった。TSV応力のMOS素子への影響により,しきい値電圧(V_th)のシフトを生じ,設計中この原因を解明するため,さらに解析とモデリングが必要である。3Dチップ積層中熱ホットスポット(高温点)が,2Dチップより3倍温度上昇を生じるため,設計においてこの点を考慮した熱フロアプラニングを提案した。3D処理中何の静電放電(ESD)現象も観測しなかったが,さらに注意深いモニタリングが必要である。3Dチップ積層中2層間の雑音結合は,2D システム-オン-チップ(SoC)より小さい20dBであった。これにより,混合信号システム性能向上への機会を切り開いた。提案したRCモデルを用いて,TSVのデジタル回路性能への影響を正確にモデル化し,リング発振器による積層中両層の測定から,デジタル信号をTSV中高速と低電力で駆動できることを示した。3Dネットワーク-オン-チップ(NoC)化の実験結果から,NoC概念を2Dから3D SoCへ低面積(0.018mm²)と低電力(3%)オーバーヘッドで拡張可能であることを示した。

シソーラス用語： *三次元 ,  銅 ,  バイアホール ,  *静電気 ,  放電 ,  *相互結合網 ,  熱特性 ,  *半導体プロセス ,  生産ライン ,  *配線 ,  *信頼性 ,  電圧 ,  モデリング ,  故障解析 ,  フロアプラン ,  超LSI ,  リング発振器
準シソーラス用語： TSV【配線】 ,  ESD【放電】 ,  NoC ,  BEOL ,  閾値電圧 ,  SOC【IC】

分類 (1件)： 集積回路一般  (NC03161C)

タイトルに関連する用語 (5件)： 3D ,  TSV ,  IC ,  設計 ,  配慮