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J-GLOBAL ID:201102204807128994   整理番号:11A0111992

はんだ接続点におけるエレクトロマイグレーションによる劣化評価

Evaluation of degradation at a solder connected point due to electromigration
著者 (2件):
資料名:
巻: 110  号: 298(R2010 32-36)  ページ: 1-4  発行年: 2010年11月12日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
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デバイスの微少化に伴い,エレクトロマイグレーションの影響が重要な問題となっている。本研究では,EMがはんだ接続点の引張強度に与える影響を調べた。直径180μmの2本の銅線端面を1mmの間隔を置いて,はんだ付けで接合した。この試料に0~15.7kA/cm2の電流を0,30,100,300時間通電した後,引張強度を測定した。以上の結果,電流密度が11.8kA/cm以上になると引張強度の低下が起こり,また陰極側で破断する確率が高いことがみられた。以上より,EMによる強度の変化が定量的に確認できた。(著者抄録)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
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分類 (2件):
分類
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接続部品  ,  固体デバイス材料 
引用文献 (4件):
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