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J-GLOBAL ID：201102205153575860   整理番号：11A1232626

SI-GaAs基板上にある金属開口によるテラヘルツ放射増大の測定

Terahertz emission enhancement using a metallic hole on a SI-GaAs semiconductor

著者 (8件)： QUE Christopher (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  ESTACIO Elmer (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  NAKAJIMA Hidekazu (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  TAKANO Keisuke (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  YAMAMOTO Kohji (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  HANGYO Masanori (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  BAKUNOV Michael (Univ. Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, RUS) ,  TANI Masahiko (Univ. Fukui, Fukui, JPN)
資料名： 遠赤外領域開発研究  (福井大学遠赤外領域開発研究センター研究成果報告書)
巻： 12  ページ： 200-203  発行年： 2011年06月 
JST資料番号： L7601A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 安価で簡便に使用できる手法を用いて半絶縁性ガリウム砒素(SI-GaAs)半導体基板上に穴を持つ金を作製した。本手法は高分解能インクジェットプリンタを用いて,微細な金属構造を有するテラヘルツエミッタを効率的に作製可能である。SI-GaAs上の穴を持つ金構造は,裸のSI-GaAsを用いた場合に比べてテラヘルツ輻射を2倍に増強することがわかった。金属膜におけるテラヘルツ波の全反射,及び半導体から空気に伝搬する過程での建設的干渉が増強の機構であることが示唆された。裸のSI-GaAsに比べてSiレンズ結合器を用いたSi-GaAsのピーク振幅は15倍に増強した。残念ながら,Siレンズ結合器を持つ金-穴からは同様の増強効果は認められなかった。これは,Siレンズ結合器の中心とAu金属穴との位置合わせが極めてクリティカルなことによると思われた。

シソーラス用語： *開口 ,  *ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *基板 ,  *金 ,  *金属薄膜 ,  *電磁波放射 ,  *テラヘルツ放射

分類 (1件)： 電磁気学一般  (BD01020N)

タイトルに関連する用語 (3件)： Si ,  GaAs基板 ,  テラヘルツ放射