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J-GLOBAL ID：201102205236275583   整理番号：11A0866189

巨大な電界誘起屈折率変化を示すInGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸

InGaAs/InAlAs Five-Layer Asymmetric Coupled Quantum Well Exhibiting Giant Electrorefractive Index Change

著者 (6件)： ARAKAWA Taro (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  TOYA Takahiro (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  USHIGOME Motoki (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  YAMAGUCHI Koichiro (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  IDE Tomoyoshi (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  TADA Kunio (Kanazawa Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 50  号： 3,Issue 1  ページ： 032204.1-032204.6  発行年： 2011年03月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 巨大な電界誘起屈折率変化を示すInGaAs/InAlAs五層非対称結合量子井戸(FACQW)を提案し,理論と実験により調べた。電場F=-30~-60kV/cmにおいて,幅が100nmを超える波長範囲にわたり巨大な電界誘起屈折率感度|dn/dF|(4.4×10^-4cm/kV)が期待できる。FACQW構造を分子ビームエピタクシー(MBE)を用いて製作することに成功した。光吸収電流測定の結果は理論と一致した。FACQWの巨大な電界誘起屈折率変化は低電圧で高速の小型Mach-Zehnder変調器やスイッチの実現に極めて有望である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *屈折率 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  アルミニウム化合物 ,  半導体材料 ,  *量子井戸 ,  MBE成長 ,  光吸収 ,  光変調素子 ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜
準シソーラス用語： Mach-Zehnder変調器

分類 (1件)： 光物性一般  (BM08010A)

引用文献 (22件)：

• 1) R. G. Walker: IEEE J. Quantum Electron. 27 (1991) 654.
• 2) K. Tsuzuki, T. Ishibashi, T. Ito, S. Oku, Y. Shibata, R. Iga, Y. Kondo, and Y. Tohmori: IEEE Photonics Technol. Lett. 17 (2005) 46.
• 3) H. Yasaka, K. Tsuzuki, N. Kikuchi, N. Ishikawa, T. Yasui, and Y. Shibata: Proc. Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials (IPRM 08), 2008, P. 1.
• 4) T. Kawanishi, T. Sakamoto, and M. Izutsu: IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 13 (2007) 79.
• 5) C. R. Doerr, L. Zhang, P. J. Winzer, J. H. Sinsky, A. L. Adamiecki, N. J. Sauer, and G. Raybon: IEEE Photonics Technol. Lett. 19 (2007) 1184.

タイトルに関連する用語 (7件)： 電界 ,  誘起 ,  屈折率変化 ,  InGaAs ,  InAlAs ,  非対称 ,  結合量子井戸