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J-GLOBAL ID：201102205320224676   整理番号：11A0656306

GaAs FETにおける表面準位関連電流過渡現象とパワースランプに関するフィールドプレート効果の二次元解析

Two-Dimensional Analysis of Field-Plate Effects on Surface-State-Related Current Transients and Power Slump in GaAs FETs

著者 (4件)： HORIO Kazushige (Shibaura Inst. Technol., Saitama, JPN) ,  TANAKA Toshiya (Shibaura Inst. Technol., Saitama, JPN) ,  ITAGAKI Keiichi (Shibaura Inst. Technol., Saitama, JPN) ,  NAKAJIMA Atsushi (Shibaura Inst. Technol., Saitama, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 58  号： 3  ページ： 698-703  発行年： 2011年03月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化合物半導体ではドレインまたはゲート電圧が急激に変化しても電流変化が遅いことがしばしば生じる。これをドレインラグまたはゲートラグと称する。遅い電流変化は直流のI-V特性と高周波のI-V特性が異なり,期待したRFパワーよりも低い結果となる。これはパワースランプまたは電流スランプと呼ばれている。フィールドプレートGaAs FETの2D過渡解析を表面準位を考慮にいれて行った。準パルスI-V曲線を過渡特性から導き,表面準位に起因するドレインラグとパワースランプはフィールドプレートの導入で軽減されることを示した。フィールドプレートの固定ポテンシャルが表面準位の捕獲効果を緩和するからである。適切なフィールドプレート長とSiO₂の厚さにすることにより,GAAs FETのパワースランプを軽減し高周波特性を維持できることを示した。

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,  *FET【トランジスタ】 ,  表面準位 ,  *過渡現象 ,  *化合物半導体 ,  電圧 ,  電流電圧特性 ,  素子構造
準シソーラス用語： GaAs ,  ゲート電圧 ,  ドレインラグ ,  パワースランプ ,  フィールドプレート

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： GaAs ,  FET ,  表面準位 ,  過渡現象 ,  パワー ,  スランプ ,  フィールドプレート ,  次元解析