文献

J-GLOBAL ID：201102205927837316   整理番号：11A0478586

V,Nb,Ta,Ti,TiN,およびWの金属超薄膜における局所プローブ酸化の動力学

Kinetics of Local Probe Oxidation of Ultrathin V, Nb, Ta, Ti, TiN, and W Metal Films

著者 (4件)： SAGUNOVA I.V. (Moscow Inst. Electronic Technol.(Technical Univ.), Moscow oblast, RUS) ,  SHEVYAKOV V.I. (Moscow Inst. Electronic Technol.(Technical Univ.), Moscow oblast, RUS) ,  GAVRILOV S.A. (Moscow Inst. Electronic Technol.(Technical Univ.), Moscow oblast, RUS) ,  BELOV A.N. (Moscow Inst. Electronic Technol.(Technical Univ.), Moscow oblast, RUS)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 44  号： 13  ページ： 1709-1713  発行年： 2010年12月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： V,Nb,Ta,Ti,TiN,およびWの金属超薄膜におけるプローブを使う局所アノード酸化の動力学を研究した結果を報告する。酸化プロセスの動力学は,酸化される材料の抵抗率,自然酸化膜の有無や厚さ,金属と酸化物の間の密度の関係,および酸化プロセスの電気化学定数の様な酸化される材料の性質に依存することが分かった。バナジウムは局所的な絶縁体ナノ領域の形成に関する効率の良い材料であるが,その理由はバナジウムに関するプローブアノード酸化速度が最大であるからである。

シソーラス用語： バナジウム ,  ニオブ ,  タンタル ,  チタン ,  チタン化合物 ,  窒化物 ,  タングステン ,  *金属薄膜 ,  超薄膜 ,  ナノ構造 ,  *アノード酸化 ,  電気抵抗率 ,  密度
準シソーラス用語： 窒化チタン ,  *局所酸化 ,  プローブ酸化

分類 (2件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (8件)： Nb ,  Ta ,  Ti ,  TiN ,  超薄膜 ,  プローブ ,  酸化 ,  動力学