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J-GLOBAL ID:201102206178599590   整理番号:11A0857487

(メチルシクロペンタジエニル)トリメチル・プラチナとO2プラスマを用いたAl2O3基板上のPt原子層堆積の核生成と成長

Nucleation and growth of Pt atomic layer deposition on Al2O3 substrates using (methylcyclopentadienyl)-trimethyl platinum and O2 plasma
著者 (8件):
資料名:
巻: 109  号:ページ: 084333  発行年: 2011年04月15日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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(メチルシクロペンタジエニル)トリメチル・プラチナ(MeCpPtMe3)とO2プラスマを反応物として使ったAl2O3基板上のPt原子層堆積(ALD)の核生成と成長を研究した。Pt ALDの核生成は,Al2O3ALD基板上で300°Cで分光偏光解析,X線反射率,X線光電子分光法,そして,走査電子顕微鏡を含むいろいろな技法を使い調べた。これらの技法は,Al2O3ALD基板上でPt ALDが直ちに核化,成長しないことを明らかにした。最初の38ALDサイクルの間,Pt ALDは無視出来た。それからPt ALD成長速度は,次の12ALDサイクルの間,かなり増加した。その後,Pt ALD成長速度は,>50 ALDサイクルで安定状態線形成長体制に達した。これらの測定は,最初の38ALDサイクルの間, Pt ALDが最初にゆっくり成長する多くのナノクラスタを形成することを示唆した。これらのアイランドは,次の12サイクルの間,結合しそして,>50ALD サイクルで,~0.05nm/cycleの安定状態Pt ALD成長速度を生じる。安定状態線形成長体制の始まりのPt ALD薄膜は,おおよそ厚みでの2~3 nmであった。しかし,これらのPt ALD薄膜のSEM画像は,波形で虫様体に見えた。これらの薄膜の密度はバルクPtの50~70%しかなかった。バルクPtと一致した薄膜密度は,Pt ALD薄膜が非常になめらかに見えて,厚みでの4~5 nmになる>100 ALDサイクルの後まで観察されなかった。Pt ALD核生成速度は,いくぶん 異なるO2プラスマ・パラメータを使って強化できた。(翻訳著者抄録)
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固体デバイス製造技術一般 

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