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J-GLOBAL ID：201102206293350504   整理番号：11A1159991

低k/極端低k誘電体TDDBの温度依存活性化エネルギーを記述する包括的な絶縁破壊モデル

A Comprehensive Breakdown Model Describing Temperature Dependent Activation Energy of Low-κ/Extreme Low-κ Dielectric TDDB

著者 (8件)： CHANG M.N. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., Hsinchu, TWN) ,  RANJAN R. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., Hsinchu, TWN) ,  LEE Y.-H. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., Hsinchu, TWN) ,  LEE S.Y. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., Hsinchu, TWN) ,  WANG C.S. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., Hsinchu, TWN) ,  SHIH J.R. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., Hsinchu, TWN) ,  CHIU C.C. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., Hsinchu, TWN) ,  WU K. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd., Hsinchu, TWN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2010  ページ： 800-803  発行年： 2010年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低k(LK)/極端低k(ELK)を通しての電荷輸送は低電界領域においてもPool-Frenkel機構によって支配される。また,Cuイオン拡散はストレスの最終段階で起こる。そして高温とサブ65nm(40-28nm)技術ノードのELKで発生確率が高くなる。したがって,昇温動作試験におけるTDDB寿命予測には温度に依存する活性化エネルギーを考慮すべきである。温度とストレス印加時間のべき乗則に基づき,活性化エネルギーにトラップ発生とイオン拡散を結び付けることのできるLK/ELKの幅広い破壊モデルについて提案した。

シソーラス用語： *誘電体薄膜 ,  誘電率 ,  電気伝導 ,  ナノメータ加工 ,  絶縁破壊 ,  時間依存性 ,  信頼性解析 ,  *活性化エネルギー ,  アイソレーション【IC】 ,  寿命予測 ,  *高温試験 ,  固体素子 ,  絶縁耐力 ,  電気絶縁
準シソーラス用語： *TDDB

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (7件)： 低k誘電体 ,  TDDB ,  温度依存 ,  活性化エネルギー ,  記述 ,  絶縁 ,  破壊モデル