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J-GLOBAL ID：201102206316814899   整理番号：11A0306286

パターン欠陥を考慮したプロセスウィンドウ決定の新しい方法

New method to determine process window considering pattern failure

著者 (6件)： YANG Seung-Hune (Samsung Electronics Co., Gyeonggi-do, KOR) ,  MOON Seongho (Samsung Electronics Co., Gyeonggi-do, KOR) ,  SER Junghoon (Samsung Electronics Co., Gyeonggi-do, KOR) ,  KIM Young-Chang (Samsung Electronics Co., Gyeonggi-do, KOR) ,  CHOI Sung-Woon (Samsung Electronics Co., Gyeonggi-do, KOR) ,  KANG Chang-Jin (Samsung Electronics Co., Gyeonggi-do, KOR)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7823  号： Pt.1  ページ： 78230H.1-78230H.7  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フォトリソグラフィーのパターン欠陥を予測するための新しい計量として,「酸濃度分布画像対数傾斜(AILS)」を提唱した。AILSによりパターン忠実度を数値として決定できる。フォトレジストの二種類の深度でAILSを評価することにより,種々のパターン欠陥を予測できる。パターン欠陥に関係するクリティカルディメンジョン(CD)とAILSへの依存性を比較した。種々のパターン欠陥用の最小のCD又は規格化AILSを評価した。規格化AILSは自家製の光近接効果補正(OPC)ソフトウェアを用いて計算した。

シソーラス用語： 欠陥 ,  *許容範囲 ,  *フォトリソグラフィー ,  回路パターン形成 ,  半導体プロセス ,  フォトレジスト ,  *長さ ,  補正 ,  濃度分布 ,  走査電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察
準シソーラス用語： パターン欠陥 ,  *プロセスウィンドウ ,  *クリティカルディメンジョン ,  光近接効果補正 ,  酸濃度分布

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (2件)： パターン欠陥 ,  プロセスウィンドウ