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J-GLOBAL ID：201102206470076647   整理番号：11A1582239

TFTのV_THシフトと出力ゆらぎに対して高い電磁感受性を持つ高信頼性a-Si:Hゲートドライバ回路の設計

Design of Reliable a-Si:H Gate Driver Circuit with High Immunity against the V_TH Shift of TFT and Output Fluctuations

著者 (4件)： CHUANG Min-Chin (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  TU Chun-Da (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  CHOU Kuan-Wen (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  LIN Chih-Lung (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
資料名： Annual Meeting of the IEEE Photonics Society  (Annual Meeting of the IEEE Photonics Society)
巻： 23rd  ページ： 305-306  発行年： 2010年 
JST資料番号： T0931A  ISSN： 1092-8081  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ac駆動構造を採用した新しいドライバ駆動回路を設計した。この回路によって,a-Si:Hに基づくTFTのV_THシフトと出力ゆらぎを抑制することができた。プルダウンTFT上にバイアスストレスを変調することによって,パネルの色むらを除去できた。また,試験結果から,この回路により動作寿命が延びることも確認できた。

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *アモルファスシリコン ,  *水素化物 ,  *駆動回路
準シソーラス用語： *TFT【トランジスタ】 ,  電磁感受性 ,  *a-Si:H ,  *ドライバ回路

分類 (1件)： 表示機器  (NC06030Q)

タイトルに関連する用語 (8件)： TFT ,  シフト ,  ゆらぎ ,  電磁感受性 ,  高信頼性 ,  Si ,  ゲートドライバ回路 ,  設計