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J-GLOBAL ID：201102207094535518   整理番号：11A0140675

タングステン拡散障壁への種晶無しの銅の電着

Seedless Copper Electrodeposition onto Tungsten Diffusion Barrier

著者 (2件)： PARK Kye-Sun (Univ. Ulsan, Ulsan, KOR) ,  KIM Sunjung (Univ. Ulsan, Ulsan, KOR)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 157  号： 12  ページ： D609-D613  発行年： 2010年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸性の銅-アンモニウム-クエン酸塩浴中でスパッタ析出したタングステンの拡散障壁層の上に銅を直接電着した。印加したカソード電位に従った銅電着の核形成特性を調べた。核形成モード,核密度及び優先的に還元される主要な銅化学種は印加されるカソード電位に依存する。純粋に即時或いは進行する核形成は観察されず,その代り,混合した核形成機構が現れる。低いカソード電位では,第二銅イオンから還元される銅の電着が生じ,進行的核形成特性を示す。高いカソード電位では,早い段階の進行核形成に次いで銅錯体の還元による即時核形成が起きる。高いカソード電位を印加すると,計算によるサブ70nmのダマシン構造を充填する大きさの核密度2×10¹⁰cm^-2に近づく。

シソーラス用語： *銅 ,  銅めっき ,  *電着 ,  半導体プロセス ,  タングステン ,  拡散障壁 ,  依存性 ,  *核形成 ,  カソード ,  銅錯体 ,  密度 ,  還元
準シソーラス用語： ダマシン構造 ,  電位依存性

分類 (3件)： 電極過程  (CB07040U) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (5件)： タングステン ,  拡散障壁 ,  種晶 ,  銅 ,  電着