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J-GLOBAL ID：201102207125755350   整理番号：11A1558183

25nm MOSFETデバイスをモデル化する有効ポテンシャル・アプローチ

An effective potential approach to modeling 25 nm MOSFET devices

著者 (3件)： AHMED S. (Southern Illinois Univ., Dep. of Electrical and Computer Engineering, 62901, Carbondale, IL, USA) ,  RINGHOFER C. (Arizona State Univ., Dep. of Mathematics, 85287, Tempe, AZ, USA) ,  VASILESKA D. (Arizona State Univ., Dep. of Electrical Engineering, 85281, Tempe, AZ, USA)
資料名： Journal of Computational Electronics  (Journal of Computational Electronics)
巻： 9  号： 3-4  ページ： 197-200  発行年： 2010年12月 
JST資料番号： A1072A  ISSN： 1569-8025  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (3件)： MOSFET ,  モデル化 ,  有効ポテンシャル