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J-GLOBAL ID：201102207201872956   整理番号：11A1777757

熱酸化AlInN/AlN/GaNベース金属-酸化物-半導体へテロ電界効果トランジスタの電気的特性

Electrical properties of thermally oxidized AlInN/AlN/GaN-based metal oxide semiconductor hetero field effect transistors

著者 (11件)： EICKELKAMP M. (RWTH Aachen Univ., GaN Device Technol., Sommerfeldstr. 24, Aachen D-52074, DEU) ,  WEINGARTEN M. (RWTH Aachen Univ., GaN Device Technol., Sommerfeldstr. 24, Aachen D-52074, DEU) ,  RAHIMZADEH KHOSHROO L. (RWTH Aachen Univ., GaN Device Technol., Sommerfeldstr. 24, Aachen D-52074, DEU) ,  KETTENISS N. (RWTH Aachen Univ., GaN Device Technol., Sommerfeldstr. 24, Aachen D-52074, DEU) ,  BEHMENBURG H. (RWTH Aachen Univ., GaN Device Technol., Sommerfeldstr. 24, Aachen D-52074, DEU) ,  HEUKEN M. (RWTH Aachen Univ., GaN Device Technol., Sommerfeldstr. 24, Aachen D-52074, DEU) ,  DONOVAL D. (Dep. of Microelectronics, Slovak Univ. of Technol., Ilkovicova, Saskatchewan, Bratislava 81219, SVK) ,  CHVALA A. (Dep. of Microelectronics, Slovak Univ. of Technol., Ilkovicova, Saskatchewan, Bratislava 81219, SVK) ,  KORDOS P. (Dep. of Microelectronics, Slovak Univ. of Technol., Ilkovicova, Saskatchewan, Bratislava 81219, SVK) ,  KALISCH H. (RWTH Aachen Univ., GaN Device Technol., Sommerfeldstr. 24, Aachen D-52074, DEU) ,  VESCAN A. (RWTH Aachen Univ., GaN Device Technol., Sommerfeldstr. 24, Aachen D-52074, DEU)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 110  号： 8  ページ： 084501  発行年： 2011年10月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究において,AlInN/AlN/GaNヘテロ構造の熱酸化について報告した。”ほとんど自然な”Al₂O₃酸化物をこの酸化手続き中に形成して,ゲート酸化物として使用でき,したがって,金属-絶縁体-半導体へテロ電界効果トランジスタの作製が可能となった。酸化時間及び温度に独立な,Φ_B~2.34eVの一定障壁高さを,すべての酸化試料に関して得た。これは,安定なAlInN酸化物界面を示していた。界面状態密度は,N_int=2.5×10₁₂cm^-2ほどに低いと近似した。酸化物厚は,0.6nmと3.2nmとの範囲にあると推定した。これは,3桁までの大面積金属-絶縁体-半導体ダイオードの逆漏れ電流の抑制をもたらした。二次元電子ガス密度及び,とくに,キャリア移動度は,O₂雰囲気中での熱酸化により強く影響を受けた。熱酸化の成功のための狭いプロセシングウィンドウを同定した。それは,700°Cと800°Cとの間の温度及び数分の持続時間の範囲に亘っていた。得られた酸化物厚さは,酸化時間の二乗根とともにスケールし,障壁中への酸素原子の拡散を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOSFET ,  *MISFET ,  素子構造 ,  窒化アルミニウム ,  窒化ガリウム ,  *熱酸化 ,  酸素 ,  酸化アルミニウム ,  界面 ,  ダイオード
準シソーラス用語： ゲート酸化物 ,  界面状態 ,  酸素拡散 ,  障壁高さ ,  *窒化アルミニウムインジウム ,  *ヘテロ構造

分類 (4件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： AlN ,  GaN ,  ベース金属 ,  酸化物 ,  テロ ,  電界効果トランジスタ ,  電気的特性