EICKELKAMP M. について
RWTH Aachen Univ., GaN Device Technol., Sommerfeldstr. 24, Aachen D-52074, DEU について
WEINGARTEN M. について
RWTH Aachen Univ., GaN Device Technol., Sommerfeldstr. 24, Aachen D-52074, DEU について
RAHIMZADEH KHOSHROO L. について
RWTH Aachen Univ., GaN Device Technol., Sommerfeldstr. 24, Aachen D-52074, DEU について
KETTENISS N. について
RWTH Aachen Univ., GaN Device Technol., Sommerfeldstr. 24, Aachen D-52074, DEU について
BEHMENBURG H. について
RWTH Aachen Univ., GaN Device Technol., Sommerfeldstr. 24, Aachen D-52074, DEU について
HEUKEN M. について
RWTH Aachen Univ., GaN Device Technol., Sommerfeldstr. 24, Aachen D-52074, DEU について
DONOVAL D. について
Dep. of Microelectronics, Slovak Univ. of Technol., Ilkovicova, Saskatchewan, Bratislava 81219, SVK について
CHVALA A. について
Dep. of Microelectronics, Slovak Univ. of Technol., Ilkovicova, Saskatchewan, Bratislava 81219, SVK について
KORDOS P. について
Dep. of Microelectronics, Slovak Univ. of Technol., Ilkovicova, Saskatchewan, Bratislava 81219, SVK について
KALISCH H. について
RWTH Aachen Univ., GaN Device Technol., Sommerfeldstr. 24, Aachen D-52074, DEU について
VESCAN A. について
RWTH Aachen Univ., GaN Device Technol., Sommerfeldstr. 24, Aachen D-52074, DEU について
Journal of Applied Physics について
MOSFET について
MISFET について
素子構造 について
窒化アルミニウム について
窒化ガリウム について
熱酸化 について
酸素 について
酸化アルミニウム について
界面 について
ダイオード について
ゲート酸化物 について
界面状態 について
酸素拡散 について
障壁高さ について
窒化アルミニウムインジウム について
ヘテロ構造 について
トランジスタ について
金属-絶縁体-半導体構造 について
半導体薄膜 について
固体デバイス製造技術一般 について
AlN について
GaN について
ベース金属 について
酸化物 について
テロ について
電界効果トランジスタ について
電気的特性 について