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J-GLOBAL ID：201102207348011247   整理番号：11A0136566

軸方向にドープされたケイ素ナノワイヤのトンネルFETの作製および特性

Fabrication and Characterization of Axially Doped Silicon Nanowire Tunnel Field-Effect Transistors

著者 (6件)： VALLETT Aaron L. (Pennsylvania State Univ., Pennsylvania, USA) ,  MINASSIAN Sharis (Pennsylvania State Univ., Pennsylvania, USA) ,  KASZUBA Phil (IBM Microelectronics, Vermont, USA) ,  DATTA Suman (Pennsylvania State Univ., Pennsylvania, USA) ,  REDWING Joan M. (Pennsylvania State Univ., Pennsylvania, USA) ,  MAYER Theresa S. (Pennsylvania State Univ., Pennsylvania, USA)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 10  号： 12  ページ： 4813-4818  発行年： 2010年12月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化ケイ素/ケイ素基板上の金ナノワイヤを触媒としてシランのLPCVDによりケイ素ナノワイヤを成長させた。ドーパントガスをトリメチルホウ素からホスフィンにスイッチングすることにより軸方向ドーピングを行った。熱酸化によりケイ素-酸化ケイ素コア-シェル構造ナノワイヤとし,透過型電子顕微鏡,走査型キャパシタンス顕微鏡(SCM)によりキャラクタリゼーションを行った。p-n-n⁺ドーピングプロフィルを有し,鋭いn-n⁺接合をもつことを確かめた。ケイ素/窒化ケイ素基板上に横たえたナノワイヤ,酸化ハフニウムゲート酸化物,アルミニウムトップゲート電極,ソース・ドレイン電極を形成してトンネルFETを作製した。トップゲートのバイアス電圧によりnセグメントはp⁺に反転して鋭いp⁺-n⁺接合が生成した。電流電圧特性を4.2Kまでの温度範囲で測定した。逆バイアスにおけるp⁺-n⁺接合のトンネル電流は温度により二種のトンネル領域を示し,バンド間直接トンネリングおよびトラップ経由トンネリングを推定した。

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *ナノワイヤ ,  *結晶成長 ,  金 ,  遷移金属触媒 ,  シラン ,  LPCVD ,  *ドーピング ,  ホスフィン ,  *スイッチング ,  ドーパント ,  *軸方向 ,  熱酸化 ,  酸化ケイ素 ,  ウエハ【IC】 ,  透過型電子顕微鏡 ,  走査型プローブ顕微鏡 ,  静電容量 ,  接合 ,  窒化ケイ素 ,  酸化ハフニウム ,  ゲート【半導体】 ,  酸化膜 ,  ソース【半導体】 ,  ドレイン【半導体】 ,  電流電圧特性 ,  *温度依存性 ,  *トンネル効果 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *コアシェル構造
準シソーラス用語： アルミニウム電極 ,  キャパシタンス ,  ケイ素ナノワイヤ ,  ケイ素基板 ,  ゲート酸化膜 ,  ゲート電極 ,  バイアス電圧 ,  金触媒 ,  走査型キャパシタンス顕微鏡

分類 (4件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  固-固界面  (CB12060M) ,  トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： トリメチルほう素

タイトルに関連する用語 (4件)： ドープ ,  ケイ素ナノワイヤ ,  トンネルFET ,  作製