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J-GLOBAL ID：201102209179016067   整理番号：11A0797549

剥離層を用いたAg埋め込み半導体ピラー構造の作製と発光特性評価

著者 (13件)： 飯島仁史 (北大 電子科研) ,  和田雅樹 (北大 電子科研) ,  中島秀朗 (北大 電子科研) ,  井田惣太郎 (北大 電子科研) ,  小田島聡 (北大 電子科研) ,  小田島聡 (北大) ,  熊野英和 (北大 電子科研) ,  熊野英和 (JST-CREST) ,  西尾崇 (北大 大学院) ,  松尾保孝 (北大 電子科研) ,  居城邦治 (北大 電子科研) ,  末宗幾夫 (北大 電子科研) ,  末宗幾夫 (JST-CREST)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 58th  ページ： ROMBUNNO.24A-KS-1  発行年： 2011年03月09日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  *ヒ化インジウム ,  量子ドット ,  ドライエッチング ,  柱 ,  銀 ,  埋込み【挿入】 ,  *光ルミネセンス ,  スペクトル ,  離散スペクトル ,  立体
準シソーラス用語： ピラー

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： 剥離層 ,  Ag ,  埋め込み ,  ピラー ,  作製 ,  発光特性 ,  評価