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J-GLOBAL ID：201102209573495019   整理番号：11A0181642

AlGaN/GaNヘテロ接合での分布表面ドナー状態と2次元電子ガス

Distributed surface donor states and the two-dimensional electron gas at AlGaN/GaN heterojunctions

著者 (7件)： GORDON Luke (Univ. Dublin, Trinity College, IRL) ,  GORDON Luke (Univ. California, CA, USA) ,  MIAO Mao-Sheng (Univ. California, CA, USA) ,  CHOWDHURY Srabanti (Univ. California, CA, USA) ,  HIGASHIWAKI Masataka (Univ. California, CA, USA) ,  MISHRA Umesh K (Univ. California, CA, USA) ,  VAN DE WALLE Chris G (Univ. California, CA, USA)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 43  号： 50  ページ： 505501,1-8  発行年： 2010年12月22日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタのSchroedinger-Poissonシミュレーション法に分布した有限の密度を持つ表面ドナー状態を取り込み,それらのドナー状態が2次元電子ガスに与える影響を調べた。著者らが最近行った実験から,AlGaNの厚さが増すと表面障壁高さが増加することを明らかにしたが,この実験結果を,10¹³cm^-2eV^-1のオーダーの密度を持つ一定の状態密度(DOS)の表面ドナー準位を含むシミュレーションによって非常にうまくフィットすることができた。占有表面状態の最高準位は伝導帯極小の約1eV下で,単一表面ドナー準位について報告されている値よりもかなり高いエネルギーであることを明らかにした。これらの傾向を,酸化されたAlGaN表面の特性により説明した。さらに,実験結果と良い一致を示す表面DOSが,アルミニウム濃度が高い試料ほど大きくなることも分かった。

シソーラス用語： *半導体材料 ,  *窒化ガリウム ,  *ヘテロ接合 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *ドナー ,  *電子ガス ,  二次元 ,  HEMT ,  シミュレーション ,  状態密度 ,  *窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： *AlGaN ,  高電子移動度トランジスタ

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ接合 ,  分布 ,  ドナー ,  2次元電子ガス