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J-GLOBAL ID：201102209799854364   整理番号：11A1474696

酸化ハフニウム薄膜の強誘電性

Ferroelectricity in hafnium oxide thin films

著者 (5件)： BOESCKE T. S. (Loeberwallgraben 2, 99096 Erfurt, DEU) ,  MUELLER J. (Fraunhofer CNT, 01099 Dresden, DEU) ,  BRAEUHAUS D. (RWTH Aachen, Inst. fuer Werkstoffe der Elektrotechnik, 52062 Aachen, DEU) ,  SCHROEDER U. (Namlab gGmbH, 01187 Dresden, DEU) ,  BOETTGER U. (RWTH Aachen, Inst. fuer Werkstoffe der Elektrotechnik, 52062 Aachen, DEU)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 99  号： 10  ページ： 102903  発行年： 2011年09月05日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiO₂ドープした酸化ハフニウム薄膜中に強誘電挙動を示す結晶相を形成できることを報告する。4mol.%以下のSiO₂を含む厚み10nmの膜は単斜晶系/正方晶系混合相に結晶化する。単斜晶相の形成は結晶化が力学的封入成形下でおきるときには阻害され,斜方晶系相が得られることを観測した。この相は明白な圧電応答を示すが,分極測定は1MV/cmの抗電場で10μC/cm²を超える残留分極を示し,この相が強誘電性であることを示唆した。強誘電性酸化ハフニウムは珪素技術との優れた両立性故に,強誘電性電界効果トランジスタ及びコンデンサに理想的に適する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化ハフニウム ,  二酸化ケイ素 ,  *誘電体薄膜 ,  強誘電体 ,  強誘電性 ,  固相 ,  単斜晶系 ,  正方晶系 ,  *結晶化 ,  斜方晶系 ,  応答 ,  残留分極 ,  FET【トランジスタ】 ,  ドーピング ,  結晶構造
準シソーラス用語： 圧電応答 ,  *強誘電体薄膜 ,  電界効果トランジスタ

分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (3件)： 酸化ハフニウム ,  薄膜 ,  強誘電性