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J-GLOBAL ID：201102210028565679   整理番号：11A0797266

角度分解X線光電子分光法によるHfO₂/Si/歪みGe/SiGe構造の評価 III

著者 (8件)： 小松新 (東京都市大) ,  那須賢太郎 (東京都市大) ,  星裕介 (東京都市大) ,  榑林徹 (東京都市大) ,  澤野憲太郎 (東京都市大) ,  MYRONOV M. (Warwick大) ,  野平博司 (東京都市大) ,  白木靖寛 (東京都市大)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 58th  ページ： ROMBUNNO.27A-KW-4  発行年： 2011年03月09日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *酸化ハフニウム ,  *ケイ素 ,  *ゲルマニウム ,  *ケイ素合金 ,  ゲルマニウム含有合金 ,  *層 ,  半導体薄膜 ,  光電子スペクトル ,  原子間力顕微鏡 ,  界面 ,  表面構造 ,  熱安定性
準シソーラス用語： *歪み層 ,  *界面構造

分類 (1件)： 固体の表面構造一般  (BK15010E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 分解 ,  X線光電子分光法 ,  HfO2 ,  Si ,  歪み ,  Ge ,  SiGe ,  評価