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J-GLOBAL ID：201102210481971734   整理番号：11A1447707

プリント配線板と表面処理(II)比抵抗の大きな基材への直接銅電析と析出皮膜の物性

著者 (5件)： 有村英俊 (甲南大 大学院自然科学研究科) ,  有村英俊 (石原薬品) ,  鶴岡孝章 (甲南大 フロンティアサイエンス) ,  赤松謙祐 (甲南大 フロンティアサイエンス) ,  縄舟秀美 (甲南大 フロンティアサイエンス)
資料名： 表面技術  (Journal of the Surface Finishing Society of Japan)
巻： 62  号： 9  ページ： 448-450  発行年： 2011年09月01日 
JST資料番号： G0441B  ISSN： 0915-1869  CODEN： HYGIEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 電子デバイスの製造においてはさまざま箇所でめっき技術が利用されている。本稿では,その中でも比抵抗の高い材料,特にバリアメタルへの銅めっきについて解説した。シリコン素子上に形成する銅めっきのでは,シリコンへの銅の拡散を抑止するためにバリアメタル(主としてTiとTa)が形成されるが,これらの材料は比抵抗が高くそれに対応しためっき浴が必要となる。最適化したエチレンジアミン錯体浴組成,めっき条件(pH,浴温および電流密度)とバリアメタル上への銅の電析および析出銅皮膜の物性について示した。

シソーラス用語： *金属薄膜 ,  *銅めっき ,  めっき液 ,  組成
準シソーラス用語： *バリアメタル

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (13件)：

• 1) D. Edelstein, J. Heidenreich ; IEDM 1997, 773 (1997).
• 2) K. -M. Chang, T. -H. Yeh, I. -C. Deng, C. -W. Shih ; J. Appl. Phys., 82, (3), 1 (1997).
• 3) 大場隆之 ; Electronic Jounal 22th Technical Symposium, 21 (1999).
• 4) 縄舟秀美, 北村浩司, 水本省三, 内田 衛, 岡田 隆 ; 表面技術, 51, 1142 (2000).
• 5) A. Radisic, J. G. Long, P. M. Hoffmann, P. C. Searson ; J. Electrochem. Soc., 148, (1), C41 (2001).

タイトルに関連する用語 (8件)： プリント配線板 ,  表面処理 ,  比抵抗 ,  銅 ,  電析 ,  析出 ,  皮膜 ,  物性