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J-GLOBAL ID：201102210701351287   整理番号：11A0926842

TiO₂/SiO₂反射体及び粗化GaO_x表面膜を有する垂直型GaNベース発光ダイオードの光出力の増倍

Enhanced Light Output of Vertical-Structured GaN-Based Light-Emitting Diodes with TiO₂/SiO₂ Reflector and Roughened GaO_x Surface Film

著者 (7件)： LEE Wei-Chi (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  WANG Shui-Jinn (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  UANG Kai-Ming (WuFeng Univ., Chia-yi Country, TWN) ,  CHEN Tron-Min (WuFeng Univ., Chia-yi Country, TWN) ,  KUO Der-Ming (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  WANG Pei-Ren (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN) ,  WANG Po-Hung (National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 50  号： 4,Issue 2  ページ： 04DG06.1-04DG06.4  発行年： 2011年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： KrFレーザ照射により粗化したn-GaN層上のGaO_x膜,及びTiO₂/SiO₂分布Bragg反射体(DBR)を有するGaNベース薄膜垂直構造発光ダイオード(VLED)を提案し,研究した。Al反射体で,粗化GaO_x膜の無い正規VLEDと比較して,1mm²のチップサイズをもつ提案したVLEDは,350mAにおいて68%及び750mAにおいて51%の光出力電力の一般的な増加を示した。これは,DBR層の反射率及び電流ブロッキング能力の増倍,円形GaN突起による表面粗化,及びKrFレーザ照射による表面GaO_x膜の形成に帰着された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  *窒化ガリウム ,  垂直型 ,  酸化チタン ,  酸化ケイ素 ,  酸化ガリウム ,  表面処理 ,  反射率 ,  レーザ照射
準シソーラス用語： *粗化 ,  *分布Bragg反射器 ,  *光出力 ,  突起

分類 (3件)： 発光素子  (NC03082G) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (23件)：

• 1) E. F. Schubert and J K Kim Science 308 (2005) 1274.
• 2) C. J Humphreys. MRS Bull 33 (2008) 459.
• 3) M. R Krames, 0. B. Shchekin, R. Mueller-Mach, G 0. Mueller, L Zhou, G Harbers, and M G Craford: J. Disp. Technol. 3 (2007) 160.
• 4) S. J. Wang, K M. Uang, S L. Chen, Y C Yang, S. C. Chang, T M Chen, and C H. Chen: Appl. Phys Lett. 87 (2005) 011111.
• 5) C F. Chu, F H Fan, C C Cheng, W. H. Liu, J. Y Chu, H C Cheng, C. F Lin, K T. Chen, C. A. Tran, and T Doan: Phys. Status Solidi C 6 (2009) 5909.

タイトルに関連する用語 (8件)： TiO2 ,  SiO2 ,  反射体 ,  粗化 ,  垂直型 ,  GaN ,  発光ダイオード ,  光出力