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J-GLOBAL ID：201102211043772008   整理番号：11A0098820

極低温STSによる窒素ドープグラファイトの局所電子状態計測

著者 (4件)： 鈴木哲也 (筑波大) ,  鹿野大志 (筑波大) ,  近藤剛弘 (筑波大) ,  中村潤児 (筑波大)
資料名： 表面科学学術講演会講演要旨集  (表面科学学術講演会要旨集)
巻： 30th  ページ： 416  発行年： 2010年11月04日 
JST資料番号： L1366A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒素 ,  *ドーピング ,  *高配向性熱分解グラファイト ,  極低温 ,  スペクトロスコピー ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  電子状態 ,  *局在状態 ,  イオン照射 ,  燃料電池 ,  電極触媒
準シソーラス用語： *走査トンネル分光 ,  電子ドーピング

分類 (2件)： 不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  その他の無機化合物の格子欠陥  (BK12050B)

タイトルに関連する用語 (6件)： 極低温 ,  STS ,  窒素ドープ ,  グラファイト ,  電子状態 ,  計測