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J-GLOBAL ID：201102212758456630   整理番号：11A0154073

次世代電子デバイスに対応したレーザダイシング技術の開発-レーザダイシング加工面の測定・分析-

著者 (8件)： 小松利安 (山梨県工技セ) ,  中山信一 (山梨県工技セ) ,  高尾清利 (山梨県工技セ) ,  松坂浩志 (塩山製作所) ,  山田耕平 (塩山製作所) ,  佐藤孝志 (塩山製作所) ,  土橋正典 (塩山製作所) ,  張本鉄雄 (山梨大 工)
資料名： 山梨県工業技術センター研究報告  (Report of the Yamanashi Prefectural Industrial Technology Center)
号： 24  ページ： 1-6  発行年： 2010年 
JST資料番号： L0017A  ISSN： 0914-711X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 昨年度から引き続き,シリコンウェハ用レーザダイシング加工機の実用化を図るため,レーザダイシング加工面の測定・分析技術を検討した。本年度は,次の2種類の評価方法について検討を行い,十分評価可能であることを確認した。(1)グロー放電でレーザ加工面を除去加工後,電子顕微鏡を用いて加工変質層の幅を測定する方法。(2)ラマン分光分析方法を用いて,ダイシング面のひずみ(残留応力)から加工変質層を評価する方法。試作したレーザダイシング加工機を用いて加工実験を行い,レーザ光のパルスエネルギーと加工変質層幅の線形関係を明らかにして,レーザダイシング加工法として加工変質層の低減を図ることができた。(著者抄録)

シソーラス用語： *半導体チップ ,  *切削 ,  レーザ加工 ,  *レーザ切断 ,  残留応力 ,  *加工面 ,  層 ,  変質 ,  顕微鏡観察
準シソーラス用語： *ダイシング ,  変質層

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (7件)：

• 水野 雅裕: 高性能切断加工の動向, 砥粒加工学会誌, Vol.48, No.1, p.17(2004)
• 今中 治: 硬脆材料の割断加工の歴史, 砥粒加工学会誌, Vol.45, No.7, p.23(2001)
• 荒井 一尚: 半導体ウェーハにおけるレーザダイシング加工, 砥粒加工学会誌, Vol.47, No.5, p.6(2003)
• 大村 悦二, 熊谷 正芳, 福満 憲志, 他3名: 透過性パルスレーザによる極薄シリコンウェハの内部改質, 精密工学会誌, Vol.74, No.3, p.273(2008)
• 藤原 和徳, 小松 利安, 他5名: 次世代電子デバイスに対応したレーザダイシング技術の開発, 山梨県工業技術センター研究報告, No.23, p.20(2009)

タイトルに関連する用語 (7件)： 次世代 ,  電子デバイス ,  レーザ ,  ダイシング ,  開発 ,  ダイシング加工 ,  分析