文献

J-GLOBAL ID：201102214221074297   整理番号：11A0098816

電子線リソグラフィを用いたα-Sb₂O₄/VSbO₄薄膜触媒の部分酸化反応の制御

著者 (5件)： 原口惟 (北大 触媒化学研究セ) ,  和田敬広 (北大 触媒化学研究セ) ,  有賀寛子 (北大 触媒化学研究セ) ,  高草木達 (北大 触媒化学研究セ) ,  朝倉清高 (北大 触媒化学研究セ)
資料名： 表面科学学術講演会講演要旨集  (表面科学学術講演会要旨集)
巻： 30th  ページ： 412  発行年： 2010年11月04日 
JST資料番号： L1366A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *電子ビームリソグラフィー ,  パターン形成 ,  *酸化アンチモン ,  多層膜 ,  触媒活性 ,  *炭化水素 ,  *部分酸化 ,  触媒設計 ,  微細加工 ,  *触媒 ,  アルカン
準シソーラス用語： *アンチモン酸バナジウム

分類 (4件)： 不均一系触媒反応  (CB06100E) ,  その他の触媒  (CB06123Z) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

物質索引 (1件)： プロパン

タイトルに関連する用語 (4件)： 電子線リソグラフィ ,  薄膜 ,  触媒 ,  部分酸化反応