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J-GLOBAL ID：201102214585752924   整理番号：11A0535656

酸化ケイ素膜の厚さのシンクロトロン放射X線光電子分光法(SR-XPS)分析による決定

The determination of the thickness of the silicon oxide film by synchrotron radiation x-ray photoelectron spectroscopy (SR-XPS) analysis

著者 (6件)： IMAMURA M (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  IMAMURA M (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  MATSUBAYASHI N (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  FAN J (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  KOJIMA I (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  SASAKI M (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
資料名： Measurement Science and Technology  (Measurement Science and Technology)
巻： 22  号： 2  ページ： 024007,1-5  発行年： 2011年02月 
JST資料番号： C0354C  ISSN： 0957-0233  CODEN： MSTCEP  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 酸化ケイ素 ,  膜 ,  厚み ,  シンクロトロン放射 ,  *X線光電子分光法 ,  光電子 ,  減衰 ,  エネルギー ,  *薄膜 ,  分析

分類 (1件)： その他の物理分析  (CC03014E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 酸化ケイ素膜 ,  厚さ ,  シンクロトロン放射X線 ,  光電子分光法 ,  Sr ,  XPS ,  分析