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J-GLOBAL ID：201102215817531195   整理番号：11A0686907

異なる基板温度でr.f.マグネトロンスパッタリングにより堆積したナノ複合体炭窒化ケイ素薄膜のRaman研究

Raman studies on nanocomposite silicon carbonitride thin film deposited by r.f. magnetron sputtering at different substrate temperatures

著者 (2件)： BHATTACHARYYA Arnab Sankar (National Metallurgical Lab., Jamshedpur, IND) ,  MISHRA Suman Kumari (National Metallurgical Lab., Jamshedpur, IND)
資料名： Journal of Raman Spectroscopy  (Journal of Raman Spectroscopy)
巻： 41  号： 10  ページ： 1234-1239  発行年： 2010年10月 
JST資料番号： D0305C  ISSN： 0377-0486  CODEN： JRSPAF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (7件)： 基板温度 ,  マグネトロンスパッタリング ,  堆積 ,  ナノ複合体 ,  炭窒化ケイ素 ,  薄膜 ,  研究