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J-GLOBAL ID：201102215847597085   整理番号：11A1159952

埋め込み相変化メモリのための性能ブースタとしてのNドープGeTe

N-doped GeTe as Performance Booster for Embedded Phase-Change Memories

著者 (31件)： FANTINI A. (CEA-LETI, Grenoble, FRA) ,  SOUSA V. (CEA-LETI, Grenoble, FRA) ,  PERNIOLA L. (CEA-LETI, Grenoble, FRA) ,  GOURVEST E. (CEA-LETI, Grenoble, FRA) ,  GOURVEST E. (STMicroelectronics) ,  GOURVEST E. (LTM, CNRS, FRA) ,  BASTIEN J C (CEA-LETI, Grenoble, FRA) ,  MAITREJEAN S. (CEA-LETI, Grenoble, FRA) ,  BRAGA S. (Universita degli Studi di Pavia, ITA) ,  PASHKOV N. (CEA-LETI, Grenoble, FRA) ,  BASTARD A. (CEA-LETI, Grenoble, FRA) ,  BASTARD A. (STMicroelectronics) ,  HYOT B. (CEA-LETI, Grenoble, FRA) ,  ROULE A. (CEA-LETI, Grenoble, FRA) ,  PERSICO A. (CEA-LETI, Grenoble, FRA) ,  FELDIS H. (CEA-LETI, Grenoble, FRA) ,  JAHAN C. (CEA-LETI, Grenoble, FRA) ,  NODIN J F (CEA-LETI, Grenoble, FRA) ,  BLACHIER D. (CEA-LETI, Grenoble, FRA) ,  TOFFOLI A. (CEA-LETI, Grenoble, FRA) ,  REIMBOLD G. (CEA-LETI, Grenoble, FRA) ,  FILLOT F. (CEA-LETI, Grenoble, FRA) ,  PIERRE F. (CEA-LETI, Grenoble, FRA) ,  ANNUNZIATA R. (STMicroelectronics) ,  BENSHAEL D. (STMicroelectronics) ,  MAZOYER P. (STMicroelectronics) ,  VALLEE C. (LTM, CNRS, FRA) ,  BILLON T. (CEA-LETI, Grenoble, FRA) ,  HAZART J. (CEA-LETI, Grenoble, FRA) ,  DE SALVO B. (CEA-LETI, Grenoble, FRA) ,  BOULANGER F. (CEA-LETI, Grenoble, FRA)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2010  ページ： 644-647  発行年： 2010年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 相変化メモリ(PCM)のデータ保持性能を向上させるための代替材料として,GeTeへのNドーピングの影響を研究した。材料キャラクタリゼーションから,Nドーピングが,立方晶Ge偏析を示さずに,安定な非晶質GeN凝集体の形成を通して非晶質相状態を強く安定化することができることを示した。他方,特性は,レーザショットによる非常に速い結晶化挙動を示した。GeTeN素子のデータ保持時間は,純粋GeTeのそれに較べて改善した。とくに,GeTeN2%は,154°Cで10年という,外挿故障温度に関して最良の性能を示した。

シソーラス用語： *埋込み【挿入】 ,  *不揮発性メモリ ,  *相転移 ,  *窒素 ,  *ドーピング ,  保持 ,  ゲルマニウム化合物 ,  テルル化物 ,  窒素化合物 ,  保持時間 ,  非晶質 ,  電流電圧特性 ,  凝集体 ,  PRAM【メモリ】
準シソーラス用語： 相変化メモリ ,  データ保持 ,  GeTe

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 埋め込み ,  相変化メモリ ,  ブースタ ,  ドープ ,  GeTe