文献

J-GLOBAL ID：201102216040585608   整理番号：11A0612293

ZnO/ZnMgOヘテロ構造電界効果トランジスタのマイクロ波性能

Microwave performance of ZnO/ZnMgO heterostructure field effect transistors

著者 (7件)： SASA Shigehiko (Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN) ,  MAITANI Takeshi (Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN) ,  FURUYA Yuto (Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN) ,  AMANO Takeshi (Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN) ,  KOIKE Kazuto (Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN) ,  YANO Mitsuaki (Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN) ,  INOUE Masataka (Osaka Inst. of Technol., Osaka, JPN)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 208  号： 2  ページ： 449-452  発行年： 2011年02月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単結晶ZnO/ZnMgOヘテロ構造電界効果トランジスタ(HFET)のマイクロ波特性について報告する。分子ビームエピタキシー(MBE)によりサファイア基板のa面上に厚さ15nmのZnOチャンネル層からなる構造を生成した。ゲート長が1または2μmの2フィンガ型HFETを作成し,dc特性と小信号マイクロ波特性の評価を行った結果,それぞれの相互コンダクタンスは28および23mS/mmで,カットオフ周波数は1.75および0.95GHzであった。これらの値はBayraktaroglu et al.により報告された,パルスレーザー蒸着(PLD)により作成されたZnO TFTの場合より低い値であった。パルス電流-電圧特性から得られる速度場(ν-E)特性を評価した結果,ZnOではほぼリニアな特性であったのに対し,ZnO/ZnMgO HFETでは比較的低い電場で飽和に達した。これらの特性値は材料の限界ではなく,デバイス構造の最適化により改善し得ると思われる。

シソーラス用語： 酸化亜鉛 ,  素子構造 ,  *FET【トランジスタ】 ,  接合形FET ,  *ヘテロ接合 ,  亜鉛化合物 ,  *マグネシウム化合物 ,  *マイクロ波 ,  MBE成長 ,  レーザ蒸着 ,  場 ,  遮断周波数 ,  ヘテロ構造
準シソーラス用語： 接合型電界効果トランジスタ ,  速度場 ,  *亜鉛酸化物

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ZnO ,  ヘテロ構造 ,  電界効果トランジスタ ,  マイクロ波