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J-GLOBAL ID：201102216138227475   整理番号：11A0154535

RFスパッタリング技術を用いて成膜した(400)配向インジウムスズ酸化物薄膜の構造,光電子およびモルフォロジー特性への基板の役割

Role of substrate temperature on the structural, optoelectronic and morphological properties of (400) oriented indium tin oxide thin films deposited using RF sputtering technique

著者 (7件)： MALATHY V. (National Inst. Technol., Trichy, IND) ,  SIVARANJANI S. (Anna Univ., Trichy, IND) ,  VIDHYA V. S. (Central Electrochemical Res. Inst., Karaikudi, IND) ,  BALASUBRAMANIAN T. (National Inst. Technol., Trichy, IND) ,  PRINCE J. Joseph (Anna Univ., Trichy, IND) ,  SANJEEVIRAJA C. (Alagappa Univ., Karaikudi, IND) ,  JAYACHANDRAN M. (Central Electrochemical Res. Inst., Karaikudi, IND)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 21  号： 12  ページ： 1299-1307  発行年： 2010年12月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： RFスパッタリングプロセスを用いて,RFパワーを250W一定に保ち,石英基板上に,スズをドープしたインジウム酸化物の高い光透過率と導電性をあわせもつ膜を成長させた。電気的,光学的および構造特性を基板温度の関数として検討した。XRDにより,生成した薄膜が多結晶であり,〔400〕優先配向しているとわかった。低い比抵抗の値と可視領域に高い透過率をもつインジウムスズ酸化物(ITO)層が生成した。X線回折による詳細な解析,光学的および電気的測定結果を利用して,基板温度を変えることによるこれらの因子への制御に立ち入って検討した。AFM画像が,きわめて低い表面粗度をもった均一な表面モルフォロジーであることを明らかにした。150°C温度に基板を保って成長させたITO膜を観察して要求を満たす最適な電気的・光学的特性が得られ,適度な温度での多くのオプトエレクトロニックデバイス開発に有用な知見が得られた。

シソーラス用語： *RFスパッタリング ,  薄膜成長 ,  酸化インジウムスズ ,  *透明導電膜 ,  化合物半導体 ,  *構造解析 ,  基板 ,  配向 ,  光学的性質 ,  電気的性質 ,  モルフォロジー ,  電極材料 ,  光電素子

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  導体材料  (NA04020L)

タイトルに関連する用語 (8件)： RFスパッタリング ,  成膜 ,  配向 ,  インジウムスズ酸化物 ,  薄膜 ,  光電子 ,  モルフォロジー ,  役割