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J-GLOBAL ID：201102216630141152   整理番号：11A1516213

(Pb_0.5Sn_0.5)_1-xIn_xTe固溶体におけるインジウム不純物準位によって誘導される低温電気伝導率と超伝導体-絶縁体推移

Low-temperature electrical conductivity and the superconductor-insulator transition induced by indium impurity states in (Pb_0.5Sn_0.5)_{1 - x}In_xTe solid solutions

著者 (4件)： SHAMSHUR D. V. (Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical-Technical Inst., Politekhnicheskaya ul. 26, 194021, St. Petersburg, RUS) ,  PARFEN’EV R. V. (Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical-Technical Inst., Politekhnicheskaya ul. 26, 194021, St. Petersburg, RUS) ,  CHERNYAEV A. V. (Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical-Technical Inst., Politekhnicheskaya ul. 26, 194021, St. Petersburg, RUS) ,  NEMOV S. A. (St. Petersburg State Polytechnical Univ., Politekhnicheskaya ul. 29, 195251, St. Petersburg, RUS)
資料名： Physics of the Solid State  (Physics of the Solid State)
巻： 52  号： 9  ページ： 1815-1819  発行年： 2010年09月 
JST資料番号： W0823A  ISSN： 1063-7834  CODEN： PSOSED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (9件)： 固溶体 ,  インジウム ,  不純物準位 ,  誘導 ,  低温 ,  電気伝導率 ,  超伝導体 ,  絶縁体 ,  推移