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J-GLOBAL ID：201102217071792578   整理番号：11A1874168

Si-IGBT・SiC-SBDハイブリッドモジュール

Hybrid Si-IGBT and SiC-SBD Modules

著者 (3件)： 中沢将剛 (富士電機 松本工場) ,  三柳俊之 (富士電機 松本工場) ,  岩本進 (富士電機 松本工場)
資料名： 富士時報  (Fuji Electric Journal)
巻： 84  号： 5  ページ： 331-335  発行年： 2011年11月10日 
JST資料番号： F0080A  ISSN： 0367-3332  CODEN： FUJIA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 省エネルギーに貢献する高効率インバータに適用するため,Si-IGBT(Silicon-Insulated Gate Bipolar Transistor)とSiC-SBD(Silicon Carbide-Schottky Barrier Diode)を組み合わせた,Si-IGBT・SiC-SBDハイブリッドモジュールを開発した。SiC-SBDには独立行政法人産業技術総合研究所と共同開発したチップを,Si-IGBTは富士電機製の最新チップである第6世代「Vシリーズ」IGBTチップを用いている。製品系列は600V系列50A,75A,100A定格品,1,200V系列で35A,50A定格品である。1,200V50A定格品において従来品に対し約23%の発生損失低減を実現した。(著者抄録)

シソーラス用語： *IGBT ,  炭化ケイ素 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  回路モジュール ,  パワーエレクトロニクス ,  インバータ ,  電流電圧特性 ,  漏れ電流 ,  特性 ,  スイッチング特性
準シソーラス用語： SBD ,  SiC ,  *パワーモジュール

分類 (1件)： 混成集積回路  (NC03163K)

引用文献 (2件)：

• (1)木下明将ほか.“高温での低V_fを特徴とした600V/1,200VクラスSiC-SBD”.つくば市,2010-10-21.応用物理学会SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第19回講演会.
• (2)高橋考太ほか.IGBTモジュール「Vシリーズ」の系列化.富士時報.2009,vol.82,no.6,p.380-382.

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  IGBT ,  SiC ,  SBD ,  モジュール