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J-GLOBAL ID：201102217195033705   整理番号：11A0181937

浮遊ゲートNAND型フラッシュメモリストリングにおけるランダム電信雑音によるしきい値電圧揺らぎ

Threshold Voltage Fluctuation by Random Telegraph Noise in Floating Gate NAND Flash Memory String

著者 (7件)： JOE Sung-Min (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  YI Jeong-Hyong (Hynix Semiconductor Inc., Icheon, KOR) ,  PARK Sung-Kye (Hynix Semiconductor Inc., Icheon, KOR) ,  SHIN Hyungcheol (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  PARK Byung-Gook (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  PARK Young June (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Jong-Ho (Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 58  号： 1  ページ： 67-73  発行年： 2011年01月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 浮遊ゲートNAND型フラッシュメモリセルストリング中1セルから,ランダム電信雑音(RTN)による読取り電流揺らぎ(ΔI_read)を測定し,RTNによるしきい値電圧揺らぎ(ΔV_th)への効果について調べた。セルストリングの60nmセル(~0.4のΔI_read/I_read)で,RTNによるΔV_thの最大16レベルの多レベル揺らぎを観測した。ゲート長(L_g)の減小とともに,ΔI_readは増し,48nmで最大0.75のΔI_read/I_readを観測した。読取りセルと残りのパスセルの書込み/消去(P/E)モードにより抽出した,ΔV_thを比較することにより,読取りセルを消去し,パスセルを書込みした場合の最大の見かけΔV_thは,読取りセルの高捕獲/放出頻度と小相互コンダクタンス(G_m)に起因することを示した。しかし,全セルを消去した場合,ΔI_readは,読取りセルの電気的ゲート長の低減により最大であった。ビット線電圧(V_BL)とパス電圧(V_pass)を増すことにより,RTNが増した。温度上昇とともに,そのRTNはより高速の捕獲/放出現象を示し,捕獲と放出時間の活性エネルギーを抽出した。

シソーラス用語： 電圧 ,  *電圧変動 ,  *フラッシュメモリ ,  *NAND回路 ,  *不規則雑音 ,  *フローティングゲート ,  相互コンダクタンス ,  低周波雑音 ,  データ書込 ,  データ消去 ,  1/f雑音 ,  データ読取
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  RTN

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 浮遊ゲート ,  NAND ,  フラッシュメモリ ,  電信雑音 ,  しきい値 ,  電圧揺らぎ