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J-GLOBAL ID：201102217711845878   整理番号：11A1353879

素子マトリクスアレイを用いることによるSRAM雑音余裕と個別セルトランジスタ変動性間相関関係の直接測定

Direct Measurement of Correlation Between SRAM Noise Margin and Individual Cell Transistor Variability by Using Device Matrix Array

著者 (11件)： HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (MIRAI Technol.-Semiconductor Leading Edge Technol., Tsukuba, JPN) ,  SUZUKI Makoto (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SONG Xiaowei (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SHIMIZU Ken (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SARAYA Takuya (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  NISHIDA Akio (MIRAI Technol.-Semiconductor Leading Edge Technol., Tsukuba, JPN) ,  TSUNOMURA Takaaki (MIRAI Technol.-Semiconductor Leading Edge Technol., Tsukuba, JPN) ,  KAMOHARA Shiro (MIRAI Technol.-Semiconductor Leading Edge Technol., Tsukuba, JPN) ,  TAKEUCHI Kiyoshi (MIRAI Technol.-Semiconductor Leading Edge Technol., Tsukuba, JPN) ,  MOGAMI Tohru (MIRAI Technol.-Semiconductor Leading Edge Technol., Tsukuba, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 58  号： 8  ページ： 2249-2256  発行年： 2011年08月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大規模16kbスタテイックランダムアクセスメモリ(SRAM)セルの特殊な素子マトリクスアレイ(DMA)試験エレメントグループ(TEG)を用いて,SRAMセルの雑音余裕(SNM)と6個別トランジスタの特性およびそれらの変動性を直接測定することに成功した。そのSNMとセルトランジスタ変動性間の相関関係を解析した。測定結果から,SNMは,分散供給電圧(V_dd)依存性を示したが,測定したしきい値電圧(V_th)変動性を考慮したその回路シミュレーションは,その特異なV_dd依存性を再現することができないことがわかった。より正確なSRAM信頼性設計のためには,しきい値電圧(V_th)変動性および他特性の変動性を考慮する必要があると結論した。

シソーラス用語： *MOSFET ,  *SRAM ,  *雑音余裕 ,  電圧 ,  *回路シミュレーション ,  *電圧変動 ,  保持 ,  データ書込 ,  雑音測定
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  データ保持 ,  SNM【雑音】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (8件)： マトリクスアレイ ,  SRAM ,  雑音余裕 ,  セル ,  トランジスタ ,  変動性 ,  相関関係 ,  直接測定