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J-GLOBAL ID：201102217880551840   整理番号：11A0184199

照射したキャパシタレスMSDRAMセルの特性に及ぼすトータルドーズ効果

Total Dose Effects on the Performance of Irradiated Capacitorless MSDRAM Cells

著者 (6件)： EL-MAMOUNI Farah (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  BAWEDIN Maryline (IMEP-INP Grenoble MINATEC, Grenoble, FRA) ,  ZHANG Enxia X. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  SCHRIMPF Ronald D. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  FLEETWOOD Daniel M. (Vanderbilt Univ., TN, USA) ,  CRISTOLOVEANU Sorin (IMEP-INP Grenoble MINATEC, Grenoble, FRA)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 57  号： 6,Pt.1  ページ： 3054-3059  発行年： 2010年12月 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *DRAM ,  SOI構造 ,  *放射線効果 ,  照射線量 ,  酸化膜 ,  埋込み【挿入】 ,  MOSFET ,  電圧 ,  保持時間 ,  耐放射線性 ,  トンネル効果
準シソーラス用語： MSDRAM ,  キャパシタレスDRAM ,  1T-DRAM ,  トータルドーズ効果 ,  埋込み酸化膜 ,  nチャンネルMOSFET ,  メモリウィンドウ【半導体】 ,  ゲート電圧 ,  バックゲート

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (1件)： セル