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J-GLOBAL ID：201102217907391204   整理番号：11A1159992

SRAM装荷pMOSFETの故障ビットゲートにおける異常りん拡散に関する高分解能走査拡がり抵抗顕微鏡法(SSRM)による直接観察

Direct Visualization of Anomalous-Phosphorus Diffusion in Failure-Bit Gates of SRAM-Load pMOSFETs with High-Resolution Scanning Spreading Resistance Microscopy

著者 (9件)： ZHANG Li (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  HARA Keiryo (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  KINOSHITA Atsuhiro (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  HASHIMOTO Tsuneyuki (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  HAYASE Youhei (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  KURIHARA Michio (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  HAGISHIMA Daisuke (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  ISHIKAWA Takayuki (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  TAKENO Shiro (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2010  ページ： 804-807  発行年： 2010年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SRAMのなかのV_th変動を起こしたpMOSの故障ビットをSSRMとナノプローバによって直接観察し,故障がpMOSゲート下へのりんの異常拡散に起因することを明らかにした。これは,SRAMのポリSiゲートの厚さを60nm以下にして,pn接合境界を観察して可能となった。ゲートのりんドーピングとSTI形状のpn接合への影響を系統的に調べた。りんの異常拡散を制御するためにプロセスマージンを改善した。SSRMは歩留りと信頼性改善に役立つ高いポテンシャルをもっている。

シソーラス用語： *SRAM ,  P型半導体 ,  *MOSFET ,  故障解析 ,  *故障点標定 ,  マイクロプローブ ,  電気抵抗 ,  計測システム ,  走査光学顕微鏡 ,  レーザ照射 ,  ドーパント ,  リン ,  異常拡散 ,  広がり抵抗

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (11件)： SRAM ,  pMOSFET ,  故障 ,  ビット ,  ゲート ,  りん ,  拡散 ,  高分解能 ,  走査 ,  拡がり ,  顕微鏡法