文献

J-GLOBAL ID：201102217990707005   整理番号：11A0138968

「工業用ダイヤモンド」の作成,応用,将来性 ダイヤモンド電子源の開発と電子顕微鏡への応用

著者 (6件)： 西林良樹 (住友電気工業) ,  植田暁彦 (住友電気工業) ,  池田和寛 (住友電気工業) ,  辰巳夏生 (住友電気工業) ,  山本喜之 (住友電気工業) ,  今井貴浩 (住友電気工業)
資料名： 月刊Material Stage  (マテリアルステージ)
巻： 10  号： 7  ページ： 63-65  発行年： 2010年10月10日 
JST資料番号： L5969A  ISSN： 1346-3926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： マイクロ波プラズマCVD法により,水素,メタン,ホスフィンからなる混合ガスを用いて,n型リンドープエピタキシャル膜を作製した。作製した膜の電気抵抗の温度依存性測定を行い,典型的なリンドープエピタキシャル膜の報告値と比較した。n型の確認はホール効果の測定より行った。さらに,ダイヤモンド基板に先端がnmオーダーの尖鋭突起を作成する技術を酸素含有プラズマエッチングとマスキングにより確立した。この技術を用いて,n型の突起が並んだリンドープエミッタアレイを作成して,電子放出特性を調べた。作製したエミッタは閾値電界4.5V/μm,最大電流密度6.5mA/mm²の良好な特性を示した。最後に,突起が一つのシングルエミッタは電子顕微鏡の電子源として良好な特性をもつこと確認した。

シソーラス用語： *ダイヤモンド ,  *電子源 ,  電子顕微鏡 ,  *プラズマCVD ,  *ドーピング ,  リン ,  蒸着膜 ,  半導体薄膜 ,  *電気抵抗 ,  温度依存性 ,  エピタクシー ,  配列 ,  隆起 ,  *プラズマエッチング ,  電子放出
準シソーラス用語： *マイクロ波プラズマCVD

分類 (3件)： 電子源,イオン源  (BD02020U) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

引用文献 (2件)：

• M. W. Geis, N. N. Efremow, J. D. Woodhouse, M. D. McAleese, M. Marchwka, D. G. Socker, and J. F. Hochedez, “Diamond Cold Cathode”, IEEE Electron Device Lett., 12, pp. 456-459, 1991
• 小泉他, NEW DIAMOND, 17(4), P10(2001)

タイトルに関連する用語 (7件)： 工業 ,  ダイヤモンド ,  応用 ,  将来 ,  電子源 ,  開発 ,  電子顕微鏡