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J-GLOBAL ID：201102218166330594   整理番号：11A1038462

ケイ素ナノワイヤにおける異方性リチウム挿入挙動:結合エネルギー,拡散障壁及び歪効果

Anisotropic Lithium Insertion Behavior in Silicon Nanowires: Binding Energy, Diffusion Barrier, and Strain Effect

著者 (3件)： ZHANG Qianfan (Inst. Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  CUI Yi (Stanford Univ., California, USA) ,  WANG Enge (Peking Univ., Beijing, CHN)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 115  号： 19  ページ： 9376-9381  発行年： 2011年05月19日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なった型のケイ素ナノワイヤ(SiNWs)におけるLiの異方性挿入挙動とSiNW配向間の関係を系統的に試験した。単一Li不純物を持つSiNWsについて,第一原理シミュレーションを行った。種々の型のSiNWsにおけるLiの異なる挿入挙動は,SiNWの長軸方位と関係するSi-Li結合によって起こる。Si-Li相互作用は,Si-Li結合がSiNWの軸方向に対して傾斜すると弱くなることが分かった。結合エネルギーの試験では,[110]SiNWsが最大Li結合エネルギーを有し,また一軸歪に最大感受性応答を示すことを見出したが,一方,拡散障壁試験では,横軸又は近横軸拡散の挙動が,歪及び非歪SiNWsの両方で外の場合と異なることを示した。

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  埋込み【挿入】 ,  *リチウム ,  *結合エネルギー ,  *拡散障壁 ,  依存性 ,  *結晶方位 ,  プログラムパッケージ ,  計算 ,  ab initio法 ,  密度汎関数法 ,  原子間相互作用 ,  直径 ,  電荷分布 ,  密度 ,  リチウムイオン電池 ,  *ドーピング ,  化学結合 ,  第一原理計算 ,  電荷密度 ,  歪依存性 ,  *シリコンナノワイヤ
準シソーラス用語： VASP【計算機プログラム】 ,  *ケイ素ナノワイヤ

分類 (3件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  二次電池  (YB04030K)

タイトルに関連する用語 (7件)： ケイ素ナノワイヤ ,  異方性 ,  リチウム挿入 ,  挙動 ,  結合エネルギー ,  拡散障壁 ,  歪効果