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J-GLOBAL ID：201102218360587113   整理番号：11A1467558

オフ角制御高圧高温合成IIa基板上へのCVD単結晶ダイヤモンドの合成と電荷収集効率及びμτ積の評価

著者 (12件)： 今野雄太 (北大 大学院) ,  佐竹良太 (北大 大学院) ,  金子純一 (北大 大学院) ,  西紀彦 (北大 大学院) ,  後藤拓人 (北大 大学院) ,  藤田文行 (北大 大学院) ,  渡邊幸志 (産業技術総合研) ,  茶谷原昭義 (産業技術総合研) ,  梅澤仁 (産業技術総合研) ,  坪内信輝 (産業技術総合研) ,  鹿田真一 (産業技術総合研) ,  磯部光孝 (核融合研)
資料名： 日本原子力学会秋の大会予稿集(CD-ROM)
巻： 2011  ページ： ROMBUNNO.J24  発行年： 2011年09月02日 
JST資料番号： S0818B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： オフ角制御IIa型ダイヤモンド基板上にCVD法により単結晶ダイヤモンドの合成を行った。<110>方向への成長速度を最大とすることで異常成長を抑制できる可能性を見出した。α線誘導電荷量分布測定,μτ積を測定した。(著者抄録)

シソーラス用語： *プラズマCVD ,  *ダイヤモンド ,  *電荷分布 ,  *α粒子ビーム
準シソーラス用語： *単結晶ダイアモンド

分類 (1件)： 放射線検出・検出器  (AD08020J)

タイトルに関連する用語 (7件)： オフ角 ,  高圧高温 ,  CVD ,  単結晶ダイヤモンド ,  電荷収集効率 ,  積 ,  評価