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J-GLOBAL ID：201102219553963143   整理番号：11A0140698

性能増強のためのチャネル近接シリコン-炭素ソース/ドレインストレッサを持つ歪nチャネル電界効果トランジスタ

Strained n-Channel Field-Effect Transistors with Channel Proximate Silicon-Carbon Source/Drain Stressors for Performance Enhancement

著者 (9件)： KOH Shao-Ming (National Univ. Singapore, Singapore) ,  WONG Hoong-Shing (National Univ. Singapore, Singapore) ,  GONG Xiao (National Univ. Singapore, Singapore) ,  NG Chee-Mang (GLOBALFOUNDRIES Singapore Private Ltd., Singapore) ,  VARIAM Naushad (Varian Semiconductor, Massachusetts, USA) ,  HENRY Todd (Varian Semiconductor, Massachusetts, USA) ,  EROKHIN Yuri (Varian Semiconductor, Massachusetts, USA) ,  SAMUDRA Ganesh S. (National Univ. Singapore, Singapore) ,  YEO Yee-Chia (National Univ. Singapore, Singapore)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 157  号： 12  ページ： H1088-H1094  発行年： 2010年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論では,チャネル近接(CP)シリコン-炭素ソース/ドレイン(Si:C S/D)ストレッサと称する,チャネルに密接するSi:C S/Dストレッサを展開することによって歪効果を増大させた歪nチャネル電界効果トランジスタ(nFET)を実現するための集積法を実証した。本論は,炭素注入と固相エピタクシー(SPE)を用いて形成するSi:C S/Dとチャネルに隣接したその集積に焦点を当てた。有限要素法を用いた数値シミュレーションを実行してそのチャネルへの近接とゲートピッチに対してSi:C S/Dストレッサによって導入される歪の依存性を評価した。材料研究を行い,有効置換炭素濃度へのドーパントの影響を理解し,プロセス最適化を可能にした。

シソーラス用語： チャネル ,  近接作用 ,  ケイ素 ,  炭素 ,  ソース【半導体】 ,  ドレイン【半導体】 ,  歪 ,  *FET【トランジスタ】 ,  注入 ,  エピタクシー ,  集積 ,  有限要素法 ,  シミュレーション ,  ゲート【半導体】 ,  ピッチ【機械要素】 ,  置換 ,  濃度依存性 ,  ドーパント ,  *半導体プロセス ,  最適化
準シソーラス用語： ストレッサー ,  固相エピタキシー ,  数値シミュレーション

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 増強 ,  チャネル ,  シリコン ,  炭素 ,  ソース ,  歪 ,  nチャネル電界効果トランジスタ