文献

J-GLOBAL ID：201102220515542663   整理番号：11A0551544

価数制御に基づいたワイドギャップ希薄磁性半導体の設計

Design of widegap diluted magnetic semiconductors based on valence control

著者 (1件)： 大場史康 (京大 大学院工学研究科)
資料名： 旭硝子財団助成成果報告書(Web)
巻： 2010  ページ： NO.39 (WEB ONLY)  発行年： 2010年 
JST資料番号： U0002A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 希薄磁性半導体はスピントロニクスへの応用の観点から注目を集めており,ワイドギャップ半導体を主な対象として室温で強磁性を示す物質が探索されている。しかし,ワイドギャップ系希薄磁性半導体における磁性元素の局所原子・電子構造と磁性との関係については未だ不明な点が多く,その解明が急がれている。本研究では,酸化ガリウムに3d遷移金属元素を添加した系を対象に,系統的な成膜・評価実験および第一原理計算を行い,遷移金属ドーパントの価数と磁性との相関について考察した。(著者抄録)

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  磁性半導体 ,  *原子価 ,  スピントロニクス ,  *酸化ガリウム ,  強磁性体 ,  ドーパント ,  *遷移金属化合物 ,  薄膜成長 ,  計算 ,  *電子構造
準シソーラス用語： スピントロニクス素子 ,  *ワイドギャップ半導体 ,  *希薄磁性半導体 ,  *第一原理計算

分類 (2件)： 磁性材料  (NA04040H) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (12件)：

• H. Munekata, H. Ohno, S. von Molnar, A. Segmuller, L. L. Chang and L. Esaki, 1989. Phys. Rev. Lett., 63(17): 1849-1852.
• H. Ohno, A. Shen, F. Matsukura, A. Oiwa, A. Endo, S. Katsumoto and Y. Iye, 1996. Appl. Phys. Lett., 69(3): 363-365.
• Y. Matsumoto, M. Murakami, T. Shono, T. Hasegawa, T. Fukumura, M. Kawasaki, P. Ahmet, T. Chikyow, S. Koshihara and H. Koinuma, 2001. Science, 291: 854-856.
• S. Sonoda, S. Shimizu, T. Sasaki, Y. Yamamoto and H. Hori, 2002. J. Cryst. Growth., 237-239: 1358-1362.
• P. Sharma, A. Gupta, K. V. Rao, F. J. Owens, R. Sharma, R. Ahuja, J. M. O. Guillen, B. Johansson and G. A. Gehring, 2003. Nature Mater., 2(10): 673-677.

タイトルに関連する用語 (4件)： 価数 ,  ギャップ ,  希薄磁性半導体 ,  設計