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J-GLOBAL ID：201102220848275816   整理番号：11A1619513

単分子層MoS₂トランジスタはどれほど良好になり得るか?

How Good Can Monolayer MoS₂ Transistors Be?

著者 (3件)： YOON Youngki (Univ. California, California, USA) ,  GANAPATHI Kartik (Univ. California, California, USA) ,  SALAHUDDIN Sayeef (Univ. California, California, USA)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 11  号： 9  ページ： 3768-3773  発行年： 2011年09月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単分子層MoS₂トランジスタの究極の性能限界を自己無撞着量子輸送シミュレーションに基づいて調べた。その結果,この素子の重要な特徴は,1)低い状態密度による大きいg_m(4.4mS/μm),2)大きいバンドギャップによる大きいオンオフ電流比(>10¹⁰),3)増強ゲート制御による優れた短チャネル挙動(約10mV/Vのドレイン誘起障壁低下と約60mV/decadeの低い閾値スイング)にあることが分かった。これらの良好な電気的性質はこの素子が将来の低電力応用と低コスト電子応用への最も有望な候補になることを示している。

シソーラス用語： *半導体薄膜 ,  化合物半導体 ,  *硫化モリブデン ,  *単分子層 ,  SCF法 ,  計算機シミュレーション ,  *輸送現象 ,  バンドギャップ ,  性能分析 ,  *FET【トランジスタ】 ,  オンオフ制御 ,  Green関数 ,  非平衡状態 ,  Schottky障壁 ,  状態密度
準シソーラス用語： オンオフ比 ,  ワイドギャップ半導体 ,  *量子輸送

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (3件)： 単分子層 ,  MoS2 ,  トランジスタ