X線蛍光ホログラフィーによるIV-VI強磁性半導体Ge<sub>0.6</sub>Mn<sub>0.4</sub>TeにおけるGe原子近傍の局所構造

HAPPO Naohisa; TAKEHARA Yuki; FUJIWARA Makoto; TANAKA Koichi; SENBA Shinya; HOSOKAWA Shinya; HAYASHI Kouichi; HU Wen; SUZUKI Motohiro; ASADA Hironori

文献

J-GLOBAL ID：201102221676907684 整理番号：11A1101395

X線蛍光ホログラフィーによるIV-VI強磁性半導体Ge_0.6Mn_0.4TeにおけるGe原子近傍の局所構造

Local Structure around Ge Atoms in IV-VI Ferromagnetic Semiconductor Ge_0.6Mn_0.4Te by X-Ray Fluorescence Holography

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巻： 9 ページ： 247-250 (J-STAGE) 発行年： 2011年
JST資料番号： U0016A ISSN： 1348-0391 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

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Ge_1-xMn_xTe薄膜単結晶中のGe原子近傍の局所構造を,室温でのX線蛍光ホログラフィー(XFH)により研究した。得られた原子イメージは,Ge位置がfccカチオン副格子の正確な位置で安定ではないこと,並びにGe位置のゆらぎ及び/またはカチオン空孔が存在することを示す。(翻訳著者抄録)

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引用文献 (14件)：

[1] Y. Fukuma, T. Murakami, H. Asada, and T. Koyanagi, Physica E 10, 273 (2001).
[2] W. D. Johnston and D. E. Sestrich, J. Inorg. Nucl. Chem. 19, 229 (1961).
[3] J. Goldak, C. S. Barrett, D. Innes, and W. O. Youdelis, J. Chem. Phys. 44, 3323 (1966).
[4] N. Happo, K. Hayashi, and S. Hosokawa, J. Cryst. Growth 311, 990 (2009).
[5] S. Hosokawa, N. Happo, and K. Hayashi, Phys. Rev. B 80, 134123 (2009).

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