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J-GLOBAL ID：201102222480673762   整理番号：11A0365479

SiGe層のSi中のErのホトルミネセンスにおける引張変形率の増強効果

Enhancing effect of tensile strain on photoluminescence of Er in Si on a SiGe layer

著者 (8件)： ISHIYAMA T ,  YOSHIDA M ,  YAMASHITA Y ,  KAMIURA Y ,  DATE T ,  HASEGAWA T ,  INOUE K ,  OKUNO K
資料名： PHYSICA B-CONDENSED MATTER
巻： 340  ページ： 818-822  発行年： 2003年 
JST資料番号： O5336A  ISSN： 0921-4526  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： その他 (ZZZ)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiGe ,  Si ,  Er ,  ホトルミネセンス ,  引張変形 ,  増強