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J-GLOBAL ID：201102224674158632   整理番号：11A1000531

プリント型トランジスタ回路におけるメモリと同調のためのしきい値電圧シフト

Threshold voltage shifting for memory and tuning in printed transistor circuits

著者 (5件)： DHAR Bal Mukund (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Johns Hopkins Univ., 3400 North Charles Street, Baltimore, MD 21218, USA) ,  OEZGUEN Recep (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Johns Hopkins Univ., 3400 North Charles Street, Baltimore, MD 21218, USA) ,  DAWIDCZYK Tom (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Johns Hopkins Univ., 3400 North Charles Street, Baltimore, MD 21218, USA) ,  ANDREOU Andreas (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Johns Hopkins Univ., 3400 North Charles Street, Baltimore, MD 21218, USA) ,  KATZ Howard E. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Johns Hopkins Univ., 3400 North Charles Street, Baltimore, MD 21218, USA)
資料名： Materials Science & Engineering. R. Reports  (Materials Science & Engineering. R. Reports)
巻： 72  号： 4  ページ： 49-80  発行年： 2011年05月22日 
JST資料番号： T0341A  ISSN： 0927-796X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 過去数年の間に,プリント型有機トランジスタのしきい値電圧の制御可能なシフトに関する多重的機構が同定され,その幾つかには,過去の場合と同様に,ある意味でシリコン浮遊ゲートメモリ要素に類似したものが含まれる。さらに,プリント型電子メモリは,身分証明書と銀行カード用,および新設企業の努力を表わす応答システム用の真面目な製品技術として,出回っている。その他の回路応用も確認されている。メモリと同調は,表示駆動,電荷キャリア移動度,電圧低減と高周波数応答のような,より簡単で便利なトピックスに比べて,文献で顕著に議論されていない。この報告では,利用される効果の理論的基礎を含めて,代替型電子技術におけるトランジスタしきい値電圧の定義と制御に関して考察された多数の方法を総括した。注目すべき利点の中で,より高度で信頼性に優れた性能パラメータ,および全く新しい機能性が上げられる。Copyright 2011 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *閾値 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *電子回路 ,  制御 ,  パラメータ
準シソーラス用語： *有機トランジスタ ,  *プリント回路

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： トランジスタ回路 ,  同調 ,  しきい値電圧シフト