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J-GLOBAL ID：201102224763659998   整理番号：11A1018463

AlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタの小信号と30GHzパワー特性に与える障壁シンニングの効果

Effects of Barrier Thinning on Small-Signal and 30-GHz Power Characteristics of AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors

著者 (5件)： HIGASHIWAKI Masataka (Univ. California, CA, USA) ,  HIGASHIWAKI Masataka (JST-PRESTO, Tokyo, JPN) ,  PEI Yi (Univ. California, CA, USA) ,  CHU Rongming (Univ. California, CA, USA) ,  MISHRA Umesh K. (Univ. California, CA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 58  号： 6  ページ： 1681-1686  発行年： 2011年06月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： FETの高周波特性を高めるにはゲート長L_gを小さくするが,同時にL_gとAlGaNの障壁厚さを狭めてアスペクト比を保つことが必要である。従って,100nm以下のL_gには障壁厚さは20~30nm以下となる。非常に薄いAlGaN障壁層でゲート長の短いAlGaN/GaNヘテロ構造FETを製作し,ミリ波応用の観点で調べた。デバイスの直流と小信号特性は良好だが,30GHzのパワー特性はSi_x/AlGaN界面準位による周波数分散によって低下した。L_gを100nmに縮小してもドレイン電圧V_dの高いところではf_Tとf_maxは改善されない。非常に薄い障壁構造では,AlGaN表面準位はSi_x/AlGaN界面を通したゲートメタルからの電子注入だけでなく,AlGaN/GaN界面で作られる2DEGの障壁を乗り越えるホット電子でも荷電されていると考えられる。障壁厚さはアスペクト比だけでなく分散も考慮して設計すべきである。

シソーラス用語： 電流電圧特性 ,  遮断周波数 ,  分散【dispersion】 ,  窒化ガリウム ,  半導体材料 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *ヘテロ接合 ,  表面準位 ,  周波数特性 ,  EHF波 ,  長さ ,  素子構造 ,  *ポテンシャル障壁 ,  電流コラプス ,  窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： AlGaN ,  GaN ,  HFET ,  ゲート長 ,  ミリ波 ,  高周波特性

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  電界効果トランジスタ ,  パワー ,  障壁 ,  シンニング