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J-GLOBAL ID：201102224855779850   整理番号：11A0571893

5層ゲート電界エミッタアレイの放出及び集束特性

Emission and Focusing Characteristics of a Quintuple-Gated Field Emitter Array

著者 (8件)： KOIKE Akifumi (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  TAGAMI Tomoya (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  TAKAGI Yasuo (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  YOSHIDA Tomoya (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  NAGAO Masayoshi (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  AOKI Toru (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  NEO Yoichiro (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  MIMURA Hidenori (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 4  号： 2  ページ： 026701.1-026701.3  発行年： 2011年02月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 5層ゲート電極電界エミッタアレイ(FEA),すなわち,4積層電極レンズを持つ5層ゲートFEAを製作した。4積層電極は,Einzelレンズを形成する。ただし,第2と第3電極は,接触孔を通して接続している。5層ゲートFEAにおけるEinzelレンズの電子速度は,4層ゲートFEAより小さいので,5層ゲートFEAの方が,強い電子集束特性を持っている。スリット掃引法は,4層ゲートFEAに対してビームクロスオーバが形成されることを裏付けた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 電極 ,  ゲート【半導体】 ,  *アレイ ,  *電界放出 ,  エミッタ【半導体】 ,  ビーム集束 ,  *静電レンズ
準シソーラス用語： ゲート電極 ,  *電界エミッタアレイ ,  Einzelレンズ

分類 (3件)： 電子レンズ,電子エネルギー分析器  (BD02040Q) ,  その他の固体デバイス  (NC03150A) ,  熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

引用文献 (11件)：

• BAYLER, L. R. J. Vac. Sci. Technol. B. 2002, 20, 2646
• HAGIWARA, K. Proc. 12th Int. Display Workshop, 2005. 2005, 2, 1663
• EGAMI, N. J. Vac. Sci. Technol. B. 2005, 23, 2056
• YAMAOKA, Y. Jpn. J. Appl. Phys. 1996, 35, 6626
• GUILLORN, M. A. J. Vac. Sci. Technol. B. 2001, 19, 2598

タイトルに関連する用語 (4件)： ゲート ,  電界エミッタアレイ ,  放出 ,  集束